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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第533页 > DG419AK
DG417/418/419
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS ( ON)
: 20
W
快速开关动作-T
ON
: 100纳秒
超低功耗的要求-P
D
: 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
MINIDIP和SOIC封装
44 V电源的最大额定值
好处
D
宽动态范围
D
低信号误差和失真
D
突破前先
开关动作
D
简单接口
D
减少电路板空间
D
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制
系统
D
硬盘驱动器
描述
该DG417 /四百一十九分之四百十八单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗,低漏电,高
速度,低导通电阻和小的物理尺寸,该
DG417系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
的性能, DG417系列是建立在Siliconix公司的高
电压硅栅( HVSG )的过程。突破前先为
保证在DG419 ,它是一个单刀双掷配置。
外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同,在两个方向
当上,并阻止到电源电平,当
关。
该DG417和DG418应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417
双列直插式和SOIC
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V–
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
DG417
ON
关闭
DG418
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V,逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419
双列直插式和SOIC
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70051 。
8
7
6
5
S
2
V–
IN
V
L
真值表- DG419
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V,逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
1
DG417/418/419
订购信息
温度范围
DG417/418
8引脚塑料MINIDIP
-40到85°C
8引脚窄体SOIC
-55到125°C
8引脚CERDIP
DG417DJ
DG418DJ
DG417DY
DG418DY
DG417AK , DG417AK / 883
DG418AK , DG418AK / 883
产品型号
DG419
-40到85°C
-55到125°C
8引脚塑料MINIDIP
8引脚窄体SOIC
8引脚CERDIP
DG419DJ
DG419DY
DG419AK , DG419AK / 883
绝对最大额定值
电压参考V ?
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( GND -0.3 V)至(V + ) + 0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) + 2 V
或30毫安,以先到者为准
目前, (任何终端)连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流( S或D)的脉冲1毫秒, 10 %的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AK后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( DJ , DY后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将被夹持
内部二极管。限正向二极管电流最大电流
收视率。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
功率耗散(包)
b
8引脚塑料MINIDIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
8引脚窄体SOIC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
8引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
原理图(典型值CHANNEL )
V+
S
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
V-
V
IN
图1 。
2
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
DG417/418/419
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S( OFF)
关闭
漏电流
I
D(关闭)
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5 V V
16 5
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417
DG418
DG419
DG417
DG418
DG419
I
S
= -10毫安,V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
20
–0.1
–0.1
–0.1
–0.4
–0.4
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.75
–60
–0.4
–40
–0.75
–60
–15
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
–0.25
–5
–0.25
–5
–0.75
–12
–0.4
–10
–0.75
–12
–15
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
通道上
泄漏
L·K
当前
I
D(上)
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
,
V
S
= V
D
=
"15.5
V
15 5
数字控制
输入电流
V
IN
输入电流
V
IN
I
IL
I
IH
0.005
0.005
–0.5
–0.5
0.5
0.5
–0.5
–0.5
0.5
mA
0.5
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
C
S( OFF)
F = 1 MHz的V
S
= 0 V
兆赫,
流掉电容
通道上
电容
C
D(关闭)
C
D(上)
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V
V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
13
60
8
8
30
35
5
100
60
175
250
145
210
175
250
5
pC
175
250
145
210
175
250
ns
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
SOURCE OFF
电容
DG419
C
L
= 10nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
p
pF
F = 1MHz时, V
S
= 0 V
,
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
房间
0.001
–0.001
0.001
–0.000
1
–1
–5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
A
mA
1
5
地电流
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
3
DG417/418/419
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= 3.8 V
V+ = 10.8 V
房间
40
0
12
0
12
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
VV
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的,V
S
= 8 V
p ,
S S小我喜钛牛逼次我
见开关时间测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
DG419
房间
房间
房间
房间
110
40
60
5
pC
ns
C
L
= 10nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
房间
0.001
–0.001
0.001
–0.001
mA
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
DG417/418/419
典型特征
50
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
I
D
= -10毫安
"5
V
40
r
DS ( ON)
与温度的关系
40
"8
V
r
DS ( ON)
(
W
)
30
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
10
r
DS ( ON)
(
W
)
30
T
A
= 125_C
20
25_C
–55_C
20
10
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压( V)
30
20
10
我(PA )
0
–10
–20
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
DG417 / 418 :我
D(上)
DG419 :我
D(关闭)
, I
D(上)
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
200
漏电流与模拟电压
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
DG417 / 418 :我
D(关闭)
, I
S( OFF)
DG419 :我
S( OFF)
Q( PC)
漏极电荷注入
V+ = 16.5 V
V– = –16.5 V
V
L
= 5 V
V
IN
= 0 V
C
L
- 10 nF的
1 nF的
150
100
500 pF的
50
100 pF的
0
–50
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
S
- 源极电压( V)
3.5
3.0
2.5
V
IN
(V)
输入开关阈值与电源电压
50
42
40
工作电压范围
1.5
1.0
0.5
V
L
= 5 V
V+ (V)
2.0
V
L
= 7 V
30
20
10
2
0
10
–10
15
–15
20
–10
25
–5
30
0
35
0
40
0
0
(V+) 5
(V–) –5
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
5 V CMOS
兼容
F
F
TTL兼容
V
IN
= 0.8 V, 2.4 V
0
CMOS兼容
–40
–10
–20
–30
负电源V- ( V)
F
=电压用于生产测试
5
19-0114 ;第2版; 12/96
改进, SPST / SPDT模拟开关
_______________General说明
Maxim的重新设计的DG417 / DG418 / DG419精度,
CMOS单片模拟开关均采用了瓜尔
及担的导通电阻之间的匹配( 3Ω最大)
开关和保证导通电阻平坦度
的信号范围( 4Ω最大值)。这些交换机进行
同样在两个方向上,并保证低
电荷注入,低功耗,和ESD
宽容每个方法3015.7 2000V最小的。该
新的设计提供了temper-低关断漏电流
ATURE (小于消耗5nA在+ 85 ℃)。
该DG417 / DG418是单刀/单掷( SPST )
开关。的DG417是常闭的,并且所述
DG418是常开。该DG419为单
单刀/双掷( SPDT )与一个常闭
开关和一个常开开关。开关时间
小于175ns最大的吨
ON
并小于145ns
马克斯对于T
关闭
。操作是从一个单一的+ 10V至+ 30V
供应,或双极± 4.5V至± 20V电源。该
改进的DG417 / DG418 / DG419均选用一
44V硅栅工艺。
______________________New特点
o
插件升级为行业标准
DG417/DG418/DG419
o
改进的R
DS ( ON)
通道间匹配
( 3Ω最大, DG419只)
o
保证
平(ON)的
在信号范围( 4Ω最大)
o
改进的电荷注入( 10PC最大)
o
提高关断漏电流过温
( <5nA在+ 85°C )
o
承受静电放电( 2000V分钟)
每个方法3015.7
DG417/DG418/DG419
__________________Existing特点
o
低R
DS ( ON)
( 35Ω最大)
o
单电源供电+ 10V至+ 30V
双极性电源供电
±4.5V
to
±20V
o
低功耗( 35μW最大)
o
轨至轨信号处理
o
TTL / CMOS逻辑兼容
________________________Applications
采样保持电路
测试设备
调制解调器
制导与控制系统
音频信号路由
通信系统
电池供电系统
传真机
PBX , PABX
军用无线通信设备
______________Ordering信息
部分
DG417CJ
DG417CY
DG417C/D
DG417DJ
DG417DY
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
8塑料DIP
8 SO
骰子*
8塑料DIP
8 SO
订购信息不断在数据表的末尾。
*联系工厂骰子规格。
_____________________Pin配置/功能框图/真值表
顶视图
S
北卡罗来纳州
1
2
8
7
6
D
V-
IN
VL
S
北卡罗来纳州
1
2
8
7
6
D
V-
IN
VL
D
S1
1
2
8
7
6
S2
V-
IN
VL
GND
3
V+
4
GND
3
V+
4
GND
3
V+
4
DG417
DIP / SO
DG417
逻辑
0
1
开关
ON
关闭
5
DG418
DIP / SO
DG418
逻辑
0
1
开关
关闭
ON
5
DG419
DIP / SO
DG419
开关1
ON
关闭
5
逻辑
0
1
开关2
关闭
ON
北卡罗来纳州=无内部连接
开关所逻辑"0"输入
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
免费样品&最新文献: http://www.maxim-ic.com ,或电话1-800-998-8800
改进, SPST / SPDT模拟开关
DG417/DG418/DG419
绝对最大额定值
电压参考V-
V+ .......................................................................................44V
GND....................................................................................25V
VL ................................................. ( GND - 0.3V )至(V + + 0.3V )
数字输入V
S
, V
D
(注1 ) ......... ( V- - 2V )至(v + + 2V )或30毫安
(以先到为准)
连续电流(任何终端) (注1 ) ........................ 30毫安
峰值电流,S或D (脉冲在1毫秒, 10 %的占空比最大值) .. 100毫安
连续功率耗散(T
A
= +70°C)
塑料DIP (减免9.09mW / ° C以上+ 70 ° C) ............. 727mW
SO (减免5.88mW / ° C以上+ 70 ° C) .......................... 471mW
CERDIP (减免8.00mW / ° C以上+ 70 ° C) .................. 640MW
工作温度范围
DG41_C_ ................................................. ............ 0 ° C至+ 70°C
DG41_D_ ................................................. .........- 40 ° C至+ 85°C
DG41_AK ................................................. .......- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............................. + 300℃
注1 :
在S ,D信号,或在超过V +或V-由内部二极管钳位。最大额定电流限制正向电流。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性,双电源
(V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= 5V , GND = 0V ,V
INL
= 0.8V, V
INH
= 2.4V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
开关
模拟信号范围
漏源
导通电阻
导通电阻匹配
通道之间
(注4 )
导通电阻平坦度
(注4 )
源关闭
漏电流
(注5 )
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
V
S_
, V
D
R
DS ( ON)
(注3)
C,D
V + = 13.5V ,V = -13.5V , T = + 25°C
A
V
D
= ±10V,
A
I
S
= -10mA
T
A
= T
给T
最大
V+ = 15V, V- = -15V,
V
D
= ±10V,
I
S
= -10mA
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
-15
20
20
15
35
30
45
3
4
4
6
V
R
DS ( ON)
V+ = 15V, V- = -15V,
R
平(ON)的
V
D
= ±5V,
I
S
= -10mA
I
S( OFF)
V + = 16.5V ,V = -16.5V ,T
A
= +25°C
V
D
= ±15.5V,
T
A
= T
to
V
S
= 15.5V
T
最大
±
T
A
= +25°C
DG417/
DG418牛逼
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
DG419
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
to
T
最大
T
A
= +25°C
DG419
T
A
= T
to
T
最大
-0.25
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
C,D
A
-5
-20
-0.25
-5
-20
-0.75
-10
-40
-0.4
-10
-40
-0.75
-10
-40
-0.1
0.1
0.25
5
20
0.25
5
20
0.75
10
40
0.4
10
40
0.75
10
40
nA
nA
nA
汲极上
漏电流
(注5 )
I
D(上)
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= ±15.5V
2
_______________________________________________________________________________________
±
漏关闭
漏电流
(注5 )
I
D(关闭)
V+ = 16.5V,
V- = -16.5V,
V
D
= ±15.5V,
V
S
= 15.5V
DG417/
DG418
改进, SPST / SPDT模拟开关
电气特性,双电源(续)
(V+ = +15V, V- = -15V, V
L
= 5V , GND = 0V ,V
INL
= 0.8V, V
INH
= 2.4V ,T
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
DG417/DG418/DG419
参数
逻辑输入
逻辑输入电流
输入电压高
逻辑输入电流
输入电压低
动态
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
间隔
电荷注入(注3 )
关断隔离
抑制比(注6 )
串扰(注7 )
汲极关断电容
源关断电容
漏源
导通电容
供应
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
I
INH
I
INL
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 0.8V
-0.5
-0.5
0.005
0.005
0.5
0.5
A
A
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
DG417/DG418,
V
D
= ± 10V ,如图2
DG417/DG418,
V
D
= ± 10V ,如图2
DG419,
V
S
= ± 10V ,如图3
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
5
100
60
175
250
145
210
175
250
ns
ns
ns
ns
DG419 ,V
S1
= V
S2
= ±10V
,
图4中,T
A
= +25°C
V
= 0V ,图5中,T
A
= +25°C
R
L
= 500, C
L
= 5pF的, F = 1MHz时,图6 ,T
A
= +25°C
DG419 ,R
L
= 50, C
L
= 5pF的, F = 1MHz时,图7 ,
T
A
= +25°C
13
3
68
85
8
8
30
35
10
pC
dB
dB
pF
pF
pF
C
D(关闭)
C
S( OFF)
C
D(上)
or
C
S( ON)的
V
D
= 0V , F = 1MHz时,图8 ,
T
A
= +25°C
V
D
= 0V , F = 1MHz时,图8 ,
T
A
= +25°C
V
S
= 0V , F = 1MHz时,
图9中,
T
A
= +25°C
DG417/DG418
DG419
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
T
A
= +25°C
T
A
= T
给T
最大
-1
-5
-1
-5
-1
-5
-1
-5
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
V+ = 16.5V, V- = -16.5V,
V
IN
= 0V或5V
-0.0001
-0.0001
-0.0001
-0.0001
1
5
1
5
1
5
1
5
A
A
A
A
_______________________________________________________________________________________
3
改进, SPST / SPDT模拟开关
DG417/DG418/DG419
电气特性,单电源
(V + = + 12V , V- = 0V , VL = 5V , GND = 0V ,V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
参数
开关
模拟信号范围
漏源导通电阻
动态
开启时间
打开-O FF时间
突破前先间隔
电荷注入(注3 )
供应
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
符号
条件
典型值
(注2 )
最大
单位
V
类似物
R
DS ( ON)
t
ON
t
关闭
t
D
Q
(注3)
I
S
= -10mA ,V
D
= 3.8V, V+ = 10.8V
DG417 / DG418 ,V
D
= 8V时,图2中
DG417 / DG418 ,V
D
= 8V时,图2中
DG419 ,R
L
= 1000, C
L
= 35pF ,图4中
C
L
= 10nF电容,V
= 0V ,R
= 0V ,图5中
打开或关闭, V + = 13.2V的所有信道,
V
L
= 5.25V, V
IN
= 0V或5V
打开或关闭, V + = 13.2V的所有信道,
V
L
= 5.25V, V
IN
= 0V或5V
开启或关闭,V所有通道
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
开启或关闭,V所有通道
L
= 5.25V,
V
IN
= 0V或5V
0
40
110
40
60
2
12
100
V
ns
ns
ns
10
pC
I+
I-
I
L
I
GND
-0.0001
-0.0001
-0.0001
-0.0001
A
A
A
A
注2 :
典型的值是
设计辅助而已,
都无法保证,不受生产测试。代数
惯例,其中最负的值是最小值和最正值的最大值被用在这个数据表。
注3 :
通过设计保证。
注4 :
导通电阻的渠道和平整度之间的匹配是保证只与双极性电源供电。平坦度被定义为
如在规定的极限测得的最大和的导通电阻的最低值之间的差
模拟范围。
注5 :
泄漏的参数我
S( OFF)
, I
D(关闭)
和我
D(上)
100%经过测试,在最大额定热温度和保证
相关性在+ 25°C 。
注6 :
关断隔离抑制比= 20log (V
D
/V
S
), V
D
=输出,V
S
=输入到开关。
注7 :
任意两个交换机之间。
4
_______________________________________________________________________________________
改进, SPST / SPDT模拟开关
__________________________________________Typical工作特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
DG417/DG418/DG419
导通电阻与V
D
电源电压
45
40
R
DS ( ON)
()
35
30
25
20
15
10
5
-20
-10
0
V
D
(V)
10
20
5
-20
答: V + = 5V ,
V- = -5V
B: V + = 10V ,
V- = -10V
C: V + = 15V ,
V- = -15V
D: V + = 20V ,
V- = -20V
DG417-01
导通电阻与V
D
温度
DG417-02
导通电阻与V
D
(单电源)
V- = 0V
120
100
80
60
V+ = 5V
DG417-03
50
35
30
25
20
15
V+ = 15V
V- = -15V
T
A
= +125°C
140
A
R
DS ( ON)
()
B
C
D
T
A
= -55°C
10
T
A
= +25°C
40
20
-10
0
V
D
(V)
10
20
0
5
10
V
D
(V)
15
20
V+ = 10V
V+ = 15V
V+ = 20V
导通电阻与V
D
温度
DG417-04
关断漏电流与
温度
DG417-05
R
DS ( ON)
()
T
A
= +85°C
开漏电流与
温度
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
= ±15V
V
S
= ±15V
DG417-06
70
60
50
T
A
= +85°C
40
T
A
= +25°C
30
20
10
0
5
10
V
D
(V)
15
V+ = 12V
V- = 0V
T
A
= +125°C
R
DS ( ON)
()
100
10
关断漏( NA)
1
0.1
0.01
V+ = 16.5V
V- = -16.5V
V
D
= ±15V
V
S
= 15V
±
100
10
开漏( NA)
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
20
-75
25
温度(℃)
125
0.001
0.0001
-75
25
温度(℃)
125
电荷注入与
模拟电压
DG417-07
电源电流与
温度
A:
B:
C:
A
B
C
0.01
0.001
0.0001
I + AT V + = 16.5V
I- AT V- = -16.5V
I
L
在V
L
= 5V
DG417-08
60
40
20
Q( PC)
0
-20
-40
-60
-20 -15 -10
-5
0
V
D
(V)
5
10
15
V+ = 15V
V- = -15V
100
10
1
0.1
I+, I-, I
L
(A)
20
-75
25
温度(℃)
125
_______________________________________________________________________________________
5
DG417/418/419
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS ( ON)
: 20
W
快速开关动作-T
ON
: 100纳秒
超低功耗的要求-P
D
: 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
MINIDIP和SOIC封装
44 V电源的最大额定值
好处
D
宽动态范围
D
低信号误差和失真
D
突破前先
开关动作
D
简单接口
D
减少电路板空间
D
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制
系统
D
硬盘驱动器
描述
该DG417 /四百一十九分之四百十八单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗,低漏电,高
速度,低导通电阻和小的物理尺寸,该
DG417系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
的性能, DG417系列是建立在Siliconix公司的高
电压硅栅( HVSG )的过程。突破前先为
保证在DG419 ,它是一个单刀双掷配置。
外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同,在两个方向
当上,并阻止到电源电平,当
关。
该DG417和DG418应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417
双列直插式和SOIC
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V–
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
DG417
ON
关闭
DG418
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V,逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419
双列直插式和SOIC
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack , 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档# 70051 。
8
7
6
5
S
2
V–
IN
V
L
真值表- DG419
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V,逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
1
DG417/418/419
订购信息
温度范围
DG417/418
8引脚塑料MINIDIP
-40到85°C
8引脚窄体SOIC
-55到125°C
8引脚CERDIP
DG417DJ
DG418DJ
DG417DY
DG418DY
DG417AK , DG417AK / 883
DG418AK , DG418AK / 883
产品型号
DG419
-40到85°C
-55到125°C
8引脚塑料MINIDIP
8引脚窄体SOIC
8引脚CERDIP
DG419DJ
DG419DY
DG419AK , DG419AK / 883
绝对最大额定值
电压参考V ?
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( GND -0.3 V)至(V + ) + 0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( V-) -2 V至(V +) + 2 V
或30毫安,以先到者为准
目前, (任何终端)连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流( S或D)的脉冲1毫秒, 10 %的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
( AK后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
( DJ , DY后缀) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
注意事项:
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将被夹持
内部二极管。限正向二极管电流最大电流
收视率。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
功率耗散(包)
b
8引脚塑料MINIDIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
8引脚窄体SOIC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400毫瓦
8引脚CERDIP
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
原理图(典型值CHANNEL )
V+
S
V
L
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
V-
V
IN
图1 。
2
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
DG417/418/419
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S( OFF)
关闭
漏电流
I
D(关闭)
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5 V V
16 5
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417
DG418
DG419
DG417
DG418
DG419
I
S
= -10毫安,V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
20
–0.1
–0.1
–0.1
–0.4
–0.4
–0.25
–20
–0.25
–20
–0.75
–60
–0.4
–40
–0.75
–60
–15
15
35
45
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
–0.25
–5
–0.25
–5
–0.75
–12
–0.4
–10
–0.75
–12
–15
15
35
45
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
通道上
泄漏
L·K
当前
I
D(上)
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
,
V
S
= V
D
=
"15.5
V
15 5
数字控制
输入电流
V
IN
输入电流
V
IN
I
IL
I
IH
0.005
0.005
–0.5
–0.5
0.5
0.5
–0.5
–0.5
0.5
mA
0.5
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
C
S( OFF)
F = 1 MHz的V
S
= 0 V
兆赫,
流掉电容
通道上
电容
C
D(关闭)
C
D(上)
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V
V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
DG417
DG418
DG417
DG418
DG419
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
13
60
8
8
30
35
5
100
60
175
250
145
210
175
250
5
pC
175
250
145
210
175
250
ns
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
SOURCE OFF
电容
DG419
C
L
= 10nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
p
pF
F = 1MHz时, V
S
= 0 V
,
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
房间
0.001
–0.001
0.001
–0.000
1
–1
–5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
–1
–5
1
5
A
mA
1
5
地电流
Siliconix公司
S- 52880 -REV 。 D, 28 -APR- 97
3
DG417/418/419
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= 3.8 V
V+ = 10.8 V
房间
40
0
12
0
12
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 12 V, V– = 0 V
VV
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的,V
S
= 8 V
p ,
S S小我喜钛牛逼次我
见开关时间测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
DG419
房间
房间
房间
房间
110
40
60
5
pC
ns
C
L
= 10nF的,V
= 0 V ,R
= 0
W
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
房间
房间
房间
0.001
–0.001
0.001
–0.001
mA
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
4
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DG417/418/419
典型特征
50
r
DS ( ON)
与V
D
与电源电压
I
D
= -10毫安
"5
V
40
r
DS ( ON)
与温度的关系
40
"8
V
r
DS ( ON)
(
W
)
30
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
10
r
DS ( ON)
(
W
)
30
T
A
= 125_C
20
25_C
–55_C
20
10
0
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
V
D
- 漏极电压( V)
30
20
10
我(PA )
0
–10
–20
–30
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压( V)
DG417 / 418 :我
D(上)
DG419 :我
D(关闭)
, I
D(上)
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压( V)
200
漏电流与模拟电压
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
DG417 / 418 :我
D(关闭)
, I
S( OFF)
DG419 :我
S( OFF)
Q( PC)
漏极电荷注入
V+ = 16.5 V
V– = –16.5 V
V
L
= 5 V
V
IN
= 0 V
C
L
- 10 nF的
1 nF的
150
100
500 pF的
50
100 pF的
0
–50
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
S
- 源极电压( V)
3.5
3.0
2.5
V
IN
(V)
输入开关阈值与电源电压
50
42
40
工作电压范围
1.5
1.0
0.5
V
L
= 5 V
V+ (V)
2.0
V
L
= 7 V
30
20
10
2
0
10
–10
15
–15
20
–10
25
–5
30
0
35
0
40
0
0
(V+) 5
(V–) –5
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5 V CMOS
兼容
F
F
TTL兼容
V
IN
= 0.8 V, 2.4 V
0
CMOS兼容
–40
–10
–20
–30
负电源V- ( V)
F
=电压用于生产测试
5
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