DG508B ， DG509B
Vishay Siliconix公司
高精度8通道/双4通道CMOS模拟多路复用器
描述
该DG508B是一个8通道单端模拟
多路转换器设计用于连接八个输入一至
如由一个3位二进制地址来确定共同的输出（A0，
A1，A2） 。该DG509B是双4通道差分模拟
多路转换器设计用于连接4路差分1
输入一个共同的双输出由第2位的确定
二进制地址（ A0，A1 ） 。先开后合式开关
行动防止一时之间串扰
相邻信道。
一个通道导通电流同样在这两个
方向。在关机状态下每通道块电压高达
到电源轨。使能（ EN）功能允许
用户复位信号多路复用器/多路分解器，以关闭所有开关
堆叠多台设备。所有的控制输入，地址
（ AX）和使能（ EN ）为TTL在整个兼容
特定网络编辑的工作温度范围。
该DG508B和DG509B均制作于增强的
SG -II的CMOS工艺，可实现改进的性能
于：降低的电荷注入，下位装置的泄漏，并
最小化寄生电容。
由于DG508 ， DG509有着悠久的历史，在同行业中具有
许多供应商提供的副本 - 和在某些情况下
改进的变化 - 以一流的改进，
在DG508B ， DG509B的威世Siliconix的新版本
是优越的替代目前什么是可用的。
应用程序的DG508B ， DG509B包括高速
和高精度的数据采集，音频信号切换
和路由，ATE系统和航空电子设备。高性能
和低功耗使其非常适合电池
操作和远程仪器仪表应用。
该DG508B和DG509B有绝对最大
额定电压扩展至44 V.此外，单电源供电
也是允许的操作。外延层防止
闭锁。
该DG508B和DG509B均在16引脚
SOIC ， TSSOP ， PDIP ，以及miniQFN （1.8毫米× 2.6毫米）
40 °C - 与扩展级温度范围封装选项
至+ 125°C 。
欲了解更多信息，请参阅日前，Vishay Siliconix的DG508B ，
DG509B评估板音符。
特点
采用单电源或双电源
V +至V-模拟信号摆幅范围
44 V电源最大额定值
扩展的操作温度范围：
- 40 ° C至+ 125°C
低漏电通常< 3 pA的
低电荷注入 - Q
INJ
= 2 PC
低功耗 - 我
供应
: 10 A
TTL兼容的逻辑
> 250毫安闭锁每JESD78电流
可在SOIC16 ， TSSOP16 ， PDIP和miniQFN16
套餐
更好的选择：
- ADG508A ， DG508A ， HI- 508
- ADG509A ， DG509A ， HI -509
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
减少开关错误
减少毛刺
提高数据吞吐量
降低功耗
增加耐用性
宽电源电压范围（ ± 5 V至± 20 V ）
数据采集系统
音频和视频信号路由
ATE系统
医疗器械
好处
应用
功能模块框图和引脚
CON组fi guration
DG508B
双列直插式
SOIC和TSSOP
A
0
EN
V-
S
1
S
2
S
3
S
4
D
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
A
2
GND
V+
S
5
S
6
S
7
S
8
A
0
EN
V-
S
1a
S
2a
S
3a
S
4a
D
a
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
解码器/驱动器
DG509B
双列直插式
SOIC和TSSOP
16
15
14
13
12
11
10
9
A
1
GND
V+
S
1b
S
2b
S
3b
S
4b
D
b
文档编号： 64821
S10-2817 -REV 。 D， 20日-12月10
www.vishay.com
1
DG508B ， DG509B
Vishay Siliconix公司
功能框图及引脚配置
DG508B
miniQFN-16L
GND
12
A2 13
A1 14
A0 15
EN 16
1
V-
2
S
1
3
S
2
4
S
3
解码器/
DRIVERS
6XX
V+
11
S
5
10
S
6
9
8
S
7
7 S
8
6 D
5 S
4
GND 13
A1 14
A0 15
EN 16
1
V-
2
S
1A
3
S
2A
4
S
3A
解码器/
DRIVERS
7XX
V+
12
DG509B
miniQFN-16L
S
1B
11
S
2B
10
S
3B
9
8
S
4B
7 D
B
6 D
A
5 S
4A
引脚1 ：很长的
顶部
意见
器件标识： 6XX
追踪代码：
6 DG508BEN
XX =日期/批号
引脚1 ：很长的
顶部
意见
器件标识： 7XX
追踪代码：
7 DG509BEN
XX =日期/批号
真值表和订购信息
真值表
(DG508B)
A
2
X
0
0
0
0
1
1
1
1
A
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
A
0
X
0
1
0
1
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
5
6
7
8
真值表
(DG509B)
A
1
X
0
0
1
1
逻辑“0” = V
IL
0.8
V
逻辑“1” = V
IH
2.0
V
X =不关心
A
0
X
0
1
0
1
EN
0
1
1
1
1
ON开关
无
1
2
3
4
订购信息
(DG508B)
TEMP 。 RANGE
包
16引脚SOIC
16引脚TSSOP
- 40 ° C至125°C
a
16引脚PDIP
16引脚miniQFN
注意事项：
一。 - 40 ° C至85°C数据表限制适用。
DG508BEJ-E3
DG508BEN-T1-GE4
产品型号
DG508BEY-T1-E3
DG508BEQ-T1-E3
订购信息
(DG509B)
TEMP 。 RANGE
包
16引脚SOIC
16引脚TSSOP
- 40 ° C至125°C
a
16引脚PDIP
16引脚miniQFN
DG509BEJ-E3
DG509BEN-T1-GE4
产品型号
DG509BEY-T1-E3
DG509BEQ-T1-E3
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2
文档编号： 64821
S10-2817 -REV 。 D， 20日-12月10
DG508B ， DG509B
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
电压参考V-
数字输入，V
S
, V
D
电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲在1毫秒， 10 ％的占空比最大）
储存温度
（ EY ， EQ ， EJ ， EN后缀）
16引脚窄体SOIC
功率耗散（包）
b
16-Pin
TSSOP
d
e
c
a
极限
V+
GND
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或20mA ，以先到者为准
30
100
- 65 150
600
450
510
525
c
单位
V
mA
°C
16引脚PDIP
mW
16引脚miniQFN
f
16引脚窄体SOIC
热阻（ θ
J- á
)
b
16-Pin
TSSOP
d
e
125
178
159.6
152
° C / W
16引脚PDIP
16引脚miniQFN
f
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免8.0毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免5.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。减免6.3毫瓦/°C， 70°C以上。
F。减免6.6毫瓦/°C， 70°C以上。
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.0 V, 0.8 V
a
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至85°C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
R
DS （ ON）
匹配
来源OFF漏电流
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
温度。
b
满
典型值。
c
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
380
480
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
380
450
单位
V
V
D
= - 10 V，I
S
= - 1毫安
V
D
= ± 10 V
房间
满
房间
房间
满
180
10
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.0
1
50
1
100
1
50
1
100
1
50
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
2.0
1
50
1
100
1
50
1
100
1
50
nA
流掉泄漏电流
I
D（关闭）
V
D
= ± 10 V
V
S
= 10 V
V
EN
= 0 V
±
DG508B
DG509B
DG508B
DG509B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
漏极泄漏电流
I
D（上）
V
S
= V
D
= 10
每个序列
开关ON
±
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
e
V
INH
V
INL
I
IH
I
IL
C
in
V
AX
, V
EN
= 2.0 V
V
AX
, V
EN
= 0.8 V
F = 1 MHz的
0.8
-1
-1
4
1
1
-1
-1
0.8
1
1
V
A
pF
满
满
房间
文档编号： 64821
S10-2817 -REV 。 D， 20日-12月10
www.vishay.com
3
DG508B ， DG509B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.0 V, 0.8 V
a
VS
1
= + 10 V/- 10 V,
VS
8
= - 10 V/+ 10 V,
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的
VS
1
VS =
8
= 5.0 V ，C
L
= 35 pF的，
R
L
= 1 k
VS
1
= 5 V ， VS
2
以VS
8
= 0 V,
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
根
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
f
= 1兆赫
R
L
= 50
R
L
= 10 kΩ的， 5 V
RMS
F = 20赫兹到20千赫兹
DG508B
F = 1 MHz的
DG509B
DG508B
DG509B
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至85°C
参数
动态特性
符号
温度。
b
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
典型值。
c
145
分钟。
d
马克斯。
d
300
400
分钟。
d
马克斯。
d
300
400
单位
转换时间
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
INJ
OIRR
XTALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
收费
注射
e
e
37
100
90
2
- 81
- 88
250
0.04
3
13
8
18
11
0.01
15
1
250
340
240
300
15
1
250
340
240
300
pC
dB
兆赫
%
ns
关断隔离
e
相声
- 3 dB带宽
e
总谐波失真
e
源关断电容
e
流掉电容
e
排水导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
pF
I+
I-
0.5
0.6
- 200
- 200
0.5
0.6
V
AX
, V
EN
= 0 V或V +
满
满
mA
A
特定网络阳离子
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.0 V, 0.8 V
a
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至85°C
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
R
DS （ ON）
匹配
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
温度。
b
满
房间
典型值。
c
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
500
650
分钟。
d
0
马克斯。
d
12
500
600
单位
V
265
V
D
= 10 V / 0 V，I
S
= 1毫安
满
房间
房间
满
10
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
1
- 50
1
100
1
50
-1
- 50
-1
- 100
-1
- 50
1
50
1
100
1
50
nA
关机漏电流
I
D（关闭）
I
D（关闭）
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
D
= 0 V/10 V,
V
S
= 10 V/0 V
DG508B
房间
满
房间
满
DG509B
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4
文档编号： 64821
S10-2817 -REV 。 D， 20日-12月10
DG508B ， DG509B
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
（单电源12V）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V (± 10 %)
V
AX
, V
EN
= 2.0 V, 0.8 V
a
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至85°C
参数
模拟开关
符号
温度。
b
房间
满
房间
满
典型值。
c
分钟。
d
-1
- 100
-1
- 50
马克斯。
d
1
100
1
50
分钟。
d
-1
- 100
-1
- 50
马克斯。
d
1
100
1
50
单位
DG508B
通道泄漏电流
I
D（上）
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
S
= V
D
= 0 V/10 V
nA
DG509B
数字控制
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
e
动态特性
转换时间
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
INJ
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
DG508B
F = 1 MHz的
DG509B
DG508B
DG509B
房间
满
房间
VS
1
= 10 V / 0 V ， VS
8
= 0 V/10 V,
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的
VS
1
VS =
8
= 5 V ，C
L
= 35 pF的，
R
L
= 1 k
房间
满
房间
满
房间
VS
1
= 5 V ， VS
2
以VS
8
= 0 V,
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
,
V
根
= 0 V
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
F = 1 MHz的
R
L
= 50
R
L
= 10 kΩ的， 5 V
RMS
,
F = 20赫兹到20千赫兹
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
2.5
- 80
- 88
200
0.26
2
13
8
17
12
0.01
0.5
0.6
0.5
0.6
pF
75
125
37
15
1
300
550
250
350
165
400
550
15
1
300
425
250
300
pC
dB
兆赫
%
ns
400
500
V
INH
V
INL
I
IH
I
IL
C
in
V
AX
, V
EN
= 2.0 V
V
AX
, V
EN
= 0.8 V
F = 1 MHz的
满
满
满
满
房间
4
-1
-1
2.0
0.8
1
1
-1
-1
2.0
0.8
1
1
V
A
pF
突破前先间隔
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
e
关断隔离
e
相声
e
- 3 dB带宽
e
总谐波失真
e
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
电源电流
I+
V
AX
, V
EN
= 0 V或V +
mA
注意事项：
A. V
AX
, V
EN
=输入电压进行适当的功能。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
R
DS （ ON）
= R
DS （ ON）
最大。 - R的
DS （ ON）
分钟。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 64821
S10-2817 -REV 。 D， 20日-12月10
www.vishay.com
5
