DG2747 ， DG2748 ， DG2749
Vishay Siliconix公司
0.4 Ω ，低电压，双通道SPST模拟开关
描述
该DG2747 ， DG2748 ， DG2749和高的性能，
低导通电阻模拟双SPST开关的
配置。
采用Vishay Siliconix公司的亚微米CMOS技术，
DG2747 ， DG2748 ， DG2749实现导通电阻的开关
0.4
Ω
2.7 V V + 0.3
Ω
在4.3 V V + 。它提供了0.1
Ω
平坦度在2.7 V V +和总谐波失真0.03％
（频率范围为20Hz到20kHz ） 。它实现 - 72分贝
关断隔离和 - 100分贝串扰在100千赫。其 - 3分贝
带宽为93兆赫。
它可以切换信号，具有多达Ⅴ的振幅
CC
要
在任一方向传送。
控制逻辑可以容忍电压的选择引脚
上面的V + 。逻辑高电平为1.4 V ，使其兼容
许多低电压的数字控制电路。
结合宽工作电压，低功耗，高速，
低导通电阻和小的物理尺寸， DG2747 ，
DG2748 ， DG2749非常适合便携式和电池供电
要求高性能和高效率使用的应用
电路板空间。
该DG2747 ， DG2748 ， DG2749进来一个小miniQFN - 8
引线封装（ 1.4 ×1.4× 0.55mm）上。作为一个忠实的合作伙伴
对社区和环境，日前，Vishay Siliconix公司
生产该产品的铅（Pb） -free设备
终端和100％符合RoHS标准。
特点
宽工作电压范围： 1.6 V至4.3 V
低导通电阻： 0.4
Ω
（典型值） 。在2.7 V
低电压逻辑阈值：
V
TH （高）
= 1.4 V ，在V + = 3 V
- 100分贝串扰在100千赫
> 250毫安闭锁每JESD78电流
开关超过7 kV的ESD / HBM
RoHS指令
柔顺
好处
1.4× 1.4 * 0.55毫米超小型封装miniQFN8
高保真音频开关
干簧继电器更换
低功耗
应用
手机
便携式媒体播放器
全球定位系统
PCMCIA卡
医疗和测试设备
功能框图及引脚配置
DG2747
miniQFN-8L
V+
8
IN
1
COM
1
1
7
IN
2
Dx
2
6
COM
2
NO
2
销1
器件标识：DX为DG2747
X =日期/批次追踪码
COM
1
NC
1
2
6
COM
2
销1
3
4
GND
顶部
意见
5
NC
2
器件标识：前为DG2748
X =日期/批次追踪码
（ TOP
VIEW ）
IN
1
1
DG2748
miniQFN-8L
V+
8
7
IN
2
Ex
（ TOP
VIEW ）
NO
1
3
4
GND
顶部
意见
5
DG2749
miniQFN-8L
V+
8
IN
1
COM
1
NC
1
1
7
IN
2
Fx
2
6
COM
2
销1
3
4
GND
顶部
意见
5
NC
2
器件标识：FX为DG2749
X =日期/批次追踪码
（ TOP
VIEW ）
文档编号： 69977
S09-0396 -REV 。 B， 09 -MAR -09
www.vishay.com
1
DG2747 ， DG2748 ， DG2749
Vishay Siliconix公司
真值表
逻辑
低
高
DG2747
COM
1
没有
1
关闭
ON
COM
2
没有
2
关闭
ON
DG2748
COM
1
和NC
1
ON
关闭
COM
2
和NC
2
ON
关闭
DG2749
COM
1
和NC
1
ON
关闭
COM
2
没有
2
关闭
ON
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-8L
产品型号
DG2747DN-T1-E4
DG2748DN-T1-E4
DG2749DN-T1-E4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
190
单位
V
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
mA
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
°C
b
c
功率耗散（包）
miniQFN-8L
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.4毫瓦/°C， 70°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 69977
S09-0396 -REV 。 B， 09 -MAR -09
DG2747 ， DG2748 ， DG2749
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或1.4 V.
e
R
DS （ ON）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 0.5 V
导通电阻
R
DS （ ON）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 0.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.5 V
R
ON
MATCH
d
范围
- 40 ° C至85°C
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
-2
- 10
-2
- 10
-2
- 10
1.4
0.4
-1
14
12
10
- 52
房间
- 72
- 90
- 100
房间
房间
房间
房间
房间
93
75
55
100
0.03
%
pF
兆赫
dB
1
25
27
25
27
pC
ns
0.1
分钟。
b
0
0.4
典型值。
c
马克斯。
b
V+
0.6
0.7
Ω
0.03
0.2
2
10
2
10
2
10
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
符号
V
类似物
ΔR
ON
R
ON
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安，
V
COM
= 0.5 V, 1.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安，
V
COM
= 0.5 V, 1.5 V
V+ = 4.3 V, V
NO / NC
= 1.0 V/3.3 V,
V
COM
= 3.3 V/1.0 V
R
ON
电阻平坦度
d
关机泄漏
当前
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
d
满
房间
满
房间
满
满
满
V+ = 4.3 V, V
NO / NC
= V
COM
= 3.3 V/1.0 V
V
INH
V
INL
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
V
A
满
房间
t
ON
t
关闭
Q
O
IRR
X
TALK
d
d
V + = 2.7 V至3.6 V ，V
NO
或V
NC
= 1.5 V,
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1MHz时， V
NX
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= V
NX
= 0 V
V + = 2.7 V至3.6 V ，V
IN
= 0.5 Vp-p的
F = 20赫兹到20千赫兹
满
房间
满
房间
电荷注入
关断隔离
d
相声
d
3 dB带宽
流掉
源关断电容
电容
d
排水导通电容
d
C
NX （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
THD
总谐波失真
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.6
4.3
1.0
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 69977
S09-0396 -REV 。 B， 09 -MAR -09
www.vishay.com
3
DG2747 ， DG2748 ， DG2749
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.4
1.2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.0
V+
= 2.7
V
0.8
V+
= 3
V
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
(V
D
） - 模拟
电压
(V)
V+
= 4.3
V
V+
= 3.6
V
V+
= 1.6
V
T
A
= 25 °C
0.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.6
+
85
°C
V+
= 2.7
V
0.4
0.3
- 40 °C
+ 25 °C
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
COM
(V
D
） - 模拟
电压
(V)
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
100
V+
= 4.3
V
I + - 电源电流（ NA）
10000
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
I
COM （关闭）
泄漏
u
rrent （PA ）
1000
I
否（关）
10
1.0
100
0.1
10
I
COM（上）
V+
= 4.3
V
0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
1
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
电源电流与温度的关系
1500
1000
500
0
- 500
- 1000
- 1500
- 2000
- 2500
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
COM
- 模拟
电压
(V)
V+
= 4.3
V
I
COM （关闭）
I
否（关）
18
16
I
COM（上）
Q - 电荷注入（ PC）
漏电流与温度的关系
C
L
= 1 nF的
漏
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
类似物
电压
(V)
V+
= 3.6
V
V+
= 2.7
V
V+
= 3
V
泄漏
u
rrent （PA ）
泄漏与模拟电压
电荷注入与模拟电压
www.vishay.com
4
文档编号： 69977
S09-0396 -REV 。 B， 09 -MAR -09
DG2747 ， DG2748 ， DG2749
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
18
1
0
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
16
t
关闭
V+
= 3.6
V
-1
-2
-3
损耗（dB）
t
ON
V+
= 2.7
V
t
关闭
V+
= 2.7
V
14
-4
-5
-6
12
10
t
ON
V+
= 3.6
V
-7
-
8
-9
V+
= 3
V
R
L
= 50
Ω
8
6
- 40
- 20
0
20
40
60
80
- 10
100k
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
温度（℃）
开关时间与温度的关系
1.5
1.4
V
T
- 开关阈值（ V）
插入损耗与频率
10
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1.5
- 40
°C至
85
°C
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
- 100
V+
= 3
V
R
L
= 50
Ω
内部收益率
X
TALK
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
- 110
100k
1M
10M
频率（Hz）
100M
1G
V+
- 供应
电压
(V)
开关阈值与电源电压
关断隔离和串扰与频率的关系
文档编号： 69977
S09-0396 -REV 。 B， 09 -MAR -09
www.vishay.com
5
DG2747/DG2748/DG2749
Vishay Siliconix公司
0.4 Ω ，低电压，双通道SPST模拟开关
描述
该DG2747 ， DG2748 ， DG2749和高的性能，
低导通电阻模拟双SPST开关的
配置。
采用Vishay Siliconix公司的亚微米CMOS技术，
DG2747 /二千七百四十九分之二千七百四十八实现导通电阻的0.4开关
Ω
at
2.7 V V + 0.3
Ω
在4.3 V V + 。它提供了0.1
Ω
平坦度
2.7 V V +和总谐波失真，以0.03％ （频率
范围为20 Hz至20 kHz ） 。它实现 - 72分贝关断隔离和
- 百分贝串扰在100千赫。它的 - 3 dB带宽高达
78兆赫。
它可以切换信号，具有多达Ⅴ的振幅
CC
要
在任一方向传送。
控制逻辑可以容忍电压的选择引脚
上面的V + 。逻辑高电平为1.4 V ，使其兼容
许多低电压的数字控制电路。
结合宽工作电压，低功耗，高速，
低导通电阻和小的物理尺寸， DG2747 / 2748 /
2749顷理想用于便携式和电池供电应用
需要高性能和高效利用的电路板空间。
该DG2747 / 2749分之2748进来一个小miniQFN ， 8lead
封装（ 1.4 ×1.4× 0.55mm）上。作为一个坚定的合作伙伴，
社区和环境，日前，Vishay Siliconix公司
生产该产品的铅（Pb） -free设备
终端和100％符合RoHS标准。
特点
宽工作电压范围： 1.6 V至4.3 V
低导通电阻： 0.4
Ω
（典型值） 。在2.7 V
低电压逻辑阈值：
V
TH （高）
= 1.4 V ，在V + = 3 V
- 100分贝串扰
> 250毫安闭锁每JESD78电流
开关超过7 kV的ESD / HBM
RoHS指令
柔顺
好处
1.4× 1.4 * 0.55毫米超小型封装miniQFN8
高保真音频开关
干簧继电器更换
低功耗
应用
手机
便携式媒体播放器
全球定位系统
PCMCIA卡
医疗和测试设备
功能框图及引脚配置
DG2747
miniQFN-8L
V+
8
IN
1
COM
1
1
7
IN
2
Dx
2
6
COM
2
NO
2
销1
器件标识：DX为DG2747
X =日期/批次追踪码
COM
1
NC
1
2
6
COM
2
销1
3
4
GND
顶部
意见
5
NC
2
器件标识：前为DG2748
X =日期/批次追踪码
（ TOP
VIEW ）
IN
1
1
DG2748
miniQFN-8L
V+
8
7
IN
2
Ex
（ TOP
VIEW ）
NO
1
3
4
GND
顶部
意见
5
DG2749
miniQFN-8L
V+
8
IN
1
COM
1
NC
1
1
7
IN
2
Fx
2
6
COM
2
销1
3
4
GND
顶部
意见
5
NC
2
器件标识：FX为DG2749
X =日期/批次追踪码
（ TOP
VIEW ）
文档编号： 69977
S- 80899 -REV 。 A， 21 -APR- 08
www.vishay.com
1
DG2747/DG2748/DG2749
Vishay Siliconix公司
真值表
逻辑
低
高
DG2747
COM
1
没有
1
关闭
ON
COM
2
没有
2
关闭
ON
DG2748
COM
1
和NC
1
ON
关闭
COM
2
和NC
2
ON
关闭
DG2749
COM
1
和NC
1
ON
关闭
COM
2
没有
2
关闭
ON
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至85°C
包
miniQFN-8L
产品型号
DG2747DN-T1-E4
DG2748DN-T1-E4
DG2749DN-T1-E4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
参考GND
V+
IN， COM ，NC ， NO
a
极限
- 0.3 5.0
- 0.3 （V + + 0.3 ）
30
± 300
± 500
- 65 150
190
单位
V
目前（除NO ， NC或COM的任何终端）
连续电流（ NO ， NC或COM ）
mA
峰值电流（脉冲为1毫秒， 10 ％占空比）
存储温度（D后缀）
°C
b
c
功率耗散（包）
miniQFN-8L
mW
注意事项：
一。在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.4毫瓦/°C， 70°C以上。
www.vishay.com
2
文档编号： 69977
S- 80899 -REV 。 A， 21 -APR- 08
DG2747/DG2748/DG2749
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
V+ = 3 V
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, ± 10 %,V
IN
= 0.4 V或1.4 V.
e
R
DS （ ON）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 0.5 V
导通电阻
R
DS （ ON）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 0.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安， V
COM
= 1.5 V
R
ON
MATCH
d
范围
- 4085 ℃下
温度。
a
满
房间
满
房间
房间
房间
-2
- 10
-2
- 10
-2
- 10
1.4
0.4
-1
14
12
10
- 52
房间
- 72
- 80
- 100
房间
房间
房间
房间
房间
78
75
55
100
0.03
%
pF
兆赫
dB
1
25
27
25
27
pC
ns
0.1
分钟。
b
0
0.4
典型值。
c
马克斯。
b
V+
0.6
0.7
Ω
0.03
0.2
2
10
2
10
2
10
nA
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
d
符号
V
类似物
ΔR
ON
R
ON
平整度
I
NO / NC （关闭）
I
COM （关闭）
I
COM（上）
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安，
V
COM
= 0.5 V, 1.5 V
V + = 2.7 V，I
NO / NC
= 100毫安，
V
COM
= 0.5 V, 1.5 V
V+ = 4.3 V, V
NO / NC
= 1.0 V/3.3 V,
V
COM
= 3.3 V/1.0 V
R
ON
电阻平坦度
d
关机泄漏
当前
通道渗漏
当前
数字控制
输入高电压
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
d
满
房间
满
房间
满
满
满
V+ = 4.3 V, V
NO / NC
= V
COM
= 3.3 V/1.0 V
V
INH
V
INL
I
INL
还是我
INH
V
IN
= 0或V +的
V
A
满
房间
t
ON
t
关闭
Q
O
IRR
X
TALK
d
d
V + = 2.7 V至3.6 V ，V
NO
或V
NC
= 1.5 V,
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 100千赫
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1MHz时， V
NX
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= 0 V
F = 1MHz时， V
COM
= V
NX
= 0 V
V + = 2.7 V至3.6 V ，V
IN
= 0.5 Vp-p的
F = 20赫兹到20千赫兹
满
房间
满
房间
电荷注入
关断隔离
d
相声
d
3 dB带宽
流掉
源关断电容
电容
d
排水导通电容
d
C
NX （OFF）的
C
COM （关闭）
C
COM（上）
THD
总谐波失真
d
电源
电源电压范围
电源电流
V+
I+
V
IN
= 0或V +的
满
1.6
4.3
1.0
V
A
注意事项：
一。房间= 25 ° C，完全=由经营后缀确定。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。保证了设计，不进行生产测试。
。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
文档编号： 69977
S- 80899 -REV 。 A， 21 -APR- 08
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3
DG2747/DG2748/DG2749
Vishay Siliconix公司
典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
1.4
1.2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
1.0
V+
= 2.7
V
0.8
V+
= 3
V
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
V
COM
(V
D
） - 模拟
电压
(V)
V+
= 4.3
V
V+
= 3.6
V
V+
= 1.6
V
T
A
= 25 °C
0.5
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.6
+
85
°C
V+
= 2.7
V
0.4
0.3
- 40 °C
+ 25 °C
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
COM
(V
D
） - 模拟
电压
(V)
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
100
V+
= 4.3
V
I + - 电源电流（ NA）
10000
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
I
COM （关闭）
泄漏
u
rrent （PA ）
1000
I
否（关）
10
1.0
100
0.1
10
I
COM（上）
V+
= 4.3
V
0
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
1
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
温度（℃）
电源电流与温度的关系
1500
1000
500
0
- 500
- 1000
- 1500
- 2000
- 2500
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
COM
- 模拟
电压
(V)
V+
= 4.3
V
I
COM （关闭）
I
否（关）
18
16
I
COM（上）
Q - 电荷注入（ PC）
漏电流与温度的关系
C
L
= 1 nF的
漏
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
类似物
电压
(V)
V+
= 3.6
V
V+
= 2.7
V
V+
= 3
V
泄漏
u
rrent （PA ）
泄漏与模拟电压
电荷注入与模拟电压
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典型特征
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
18
0
t
ON
, t
关闭
- 开关时间（纳秒）
16
t
关闭
V+
= 3.6
V
-1
V+
= 3
V
R
L
= 50
Ω
-2
t
ON
V+
= 2.7
V
t
关闭
V+
= 2.7
V
14
损耗（dB）
12
-3
10
t
ON
V+
= 3.6
V
-4
8
-5
6
- 40
- 20
0
20
40
60
80
-6
100k
1M
10M
频率（Hz）
100M
温度（℃）
开关时间与温度的关系
1.5
1.4
V
T
- 开关阈值（ V）
插入损耗与频率
0
- 10
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1.5
- 40
°C至
85
°C
损失， OIRR ，X
TALK
（ dB）的
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
-
80
- 90
- 100
- 110
V+
= + 3
V
R
L
= 50
Ω
X
TALK
OIRR
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100k
1M
10M
频率（Hz）
100M
V+
- 供应
电压
(V)
开关阈值与电源电压
关断隔离和串扰与频率的关系
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S- 80899 -REV 。 A， 21 -APR- 08
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