SIPMOS功率晶体管
特点
N沟道
增强型
BUZ 100S
V
DS
I
D
55
77
V
A
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
R
DS （ ON）
0.015
额定雪崩
dv / dt的额定
175 ° C工作温度
TYPE
BUZ100S
BUZ100S E3045A
BUZ100S E3045
包
订购代码
包装
销1
G
引脚2引脚3
D
S
P- TO220-3-1 Q67040 - S4001 -A2管
P- TO263-3-2 Q67040 - S4001 -A6磁带和卷轴
P- TO263-3-2 Q67040 - S4001 -A5管
最大额定值，
at
Tj
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号
价值
77
55
308
380
17
6
KV / μs的
mJ
单位
A
I
D
T
C
= 25 C
T
C
= 100 C
漏电流脉冲
I
Dpulse
E
AS
E
AR
dv / dt的
T
C
= 25 C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 77 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= 77 A,
V
DS
= 40 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 175 C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
170
-55... +175
55/175/56
V
W
C
T
C
= 25 C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
数据表
1
05.99
BUZ 100S
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境， leded
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
F)
符号
分钟。
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.88
62
62
40
K / W
单位
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性，
at
Tj
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
A
-
-
-
0.1
-
10
1
100
100
nA
-
0.01
0.015
V
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
55
2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 130 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 ,
I
D
= 55 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
数据表
2
05.99
