BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
2M ×8位
概述
BS62LV1605
的Vcc工作电压： 4.5V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 113毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 115毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 90毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 92毫安（ @为70ns ）工作电流
15uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
该BS62LV1605是一款高性能，低功耗CMOS静态
8位和组织为2048K的话随机存取存储器
工作在范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
15uA的5.0V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该BS62LV1605具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1605是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS62LV1605EC
BS62LV1605FC
BS62LV1605EI
BS62LV1605FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 4.5 5.5V
为70ns ： 4.5 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
55ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
110uA
220uA
113mA
115mA
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
92mA
BGA-48-0912
90mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
A20
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
6
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
功能框图
BS62LV1605EC
BS62LV1605EI
A20
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
24
ROW
解码器
4096
存储阵列
4096 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
2
3
4
A
NC
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
B
NC
A3
A4
CE1
NC
NC
8
C
D0
NC
A5
A6
数据
产量
卜FF器
8
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D3
D2
VCC
A16
D6
VSS
F
NC
A14
A15
NC
D7
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
G
NC
A20
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1605
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV1605
功能
这21个地址输入选择在RAM中的2048K ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 -A20地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1605
2
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一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
BS62LV1605
测试条件
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
115
92
2.5
220
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=5V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
55ns
70ns
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
CE1 = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V ，
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
Vcc=5V
Vcc=5V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是113毫安（ @ 55ns ） / 90毫安（ @为70ns ）在0 70
o
C操作。
5. I
cc
s
B1
为110uA在Vcc = 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
1.5
--
--
5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
（最大值）为2.5uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV1605
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV1605
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
(5)
CHZ
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证，但不是100 ％测试。
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BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
2M ×8位
概述
BS62LV1605
的Vcc工作电压： 4.5V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 113毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 115毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 90毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 92毫安（ @为70ns ）工作电流
15uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
该BS62LV1605是一款高性能，低功耗CMOS静态
8位和组织为2048K的话随机存取存储器
工作在范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
15uA的5.0V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出使能（ OE ）
和三态输出驱动器。
该BS62LV1605具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1605是48B BGA和44L TSOP2封装。
产品系列
产品
家庭
BS62LV1605EC
BS62LV1605FC
BS62LV1605EI
BS62LV1605FI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 4.5 5.5V
为70ns ： 4.5 5.5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
55ns
Vcc=5V
70ns
55 / 70
55 / 70
110uA
220uA
113mA
115mA
TSOP2-44
BGA-48-0912
TSOP2-44
92mA
BGA-48-0912
90mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
A20
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
6
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
功能框图
BS62LV1605EC
BS62LV1605EI
A20
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
24
ROW
解码器
4096
存储阵列
4096 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
2
3
4
A
NC
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
B
NC
A3
A4
CE1
NC
NC
8
C
D0
NC
A5
A6
数据
产量
卜FF器
8
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D3
D2
VCC
A16
D6
VSS
F
NC
A14
A15
NC
D7
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
G
NC
A20
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
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。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
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引脚说明
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功能
这21个地址输入选择在RAM中的2048K ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 -A20地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
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DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
BS62LV1605
测试条件
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
115
92
2.5
220
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=5V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
55ns
70ns
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
CE1 = V
IH
或CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 ≧ VCC- 0.2V或CE2 ≦ 0.2V ，
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
Vcc=5V
Vcc=5V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是113毫安（ @ 55ns ） / 90毫安（ @为70ns ）在0 70
o
C操作。
5. I
cc
s
B1
为110uA在Vcc = 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1 ≧为VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
1.5
--
--
5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
（最大值）为2.5uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV1605
3
修订版2.1
一月
2004
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV1605
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
(5)
CHZ
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1605
5
修订版2.1
一月
2004
