BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
BS616UV2019
宽的Vcc工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
（ Vcc_min 。 = 1.65V 25
o
C)
超低功耗：
VCC = 2.0V
C-等级： 8毫安（最大）工作电流
我优级： 10毫安（最大）工作电流
0.20uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V
C-等级： 11毫安（最大）工作电流
我优级： 13毫安（最大）工作电流
0.30uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-85
85ns （最大）
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
数据保持电源电压低至1.0V
描述
该BS616UV2019是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.2uA在2.0V / 25
o
85ns的在85℃和最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能（ CE ）提供，
低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616UV2019具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV2019可在DICE的形式， JEDEC标准的48引脚
TSOP I型封装， 48焊球BGA封装。
产品系列
产品
家庭
BS616UV2019DC
BS616UV2019TC
BS616UV2019AC
BS616UV2019DI
BS616UV2019TI
BS616UV2019AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
C-级： 1.8 3.6V
I级： 1.9 3.6V
( I
CCSB1
马克斯）
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
PKG型
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
骰子
TSOP1-48
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
1.8V ~3.6V
1.9V ~ 3.6V
85/100
85/100
3.0uA
2.0uA
11mA
8mA
10mA
5.0uA
3.0uA
13mA
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
/ WE
CE2
NC
/ UB
/磅
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
48
47
46
A16
NC
VSS
IO15
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
/ OE
VSS
/ CE
A0
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
9
10
13
16
17
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616UV2019TC
BS616UV2019TI
37
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
27
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
25
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE2 ，CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV2019
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616UV2019
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
CE为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
（ 48B BGA
忽略
CE2
针）
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
我们写使能输入
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE
H
X
X
L
L
CE2
(1)
X
L
X
H
H
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
X
H
X
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
1. 48B BGA忽略CE2条件。
UB
X
X
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616UV2019
2
修订版1.1
一月
2004
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BS616UV2019
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流
TTL
测试条件
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
MIN 。 TYP 。
-0.3
1.4
2.0
--
--
--
Vcc-0.2
2.4
--
--
--
--
--
--
(6)
(1)
马克斯。
0.6
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.2
0.4
--
10
13
0.1
0.5
3.0
5.0
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.20
0.30
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或CE2
(4)
= V
IL
,
或OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至V
CC
Vcc=2.0V
I
OL
= 0.1毫安; VCC =最大
Vcc=3.0V
I
OL
= 2.0毫安; VCC =最大
I
OH
= -0.1mA ; VCC =最小值
I
OH
= -1.0mA ; VCC =最小值
CE = V
IL
CE2 = V
IH
(3)
(4)
,I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
CE = V
IH
(4)
, I
DQ
= 0毫安
或CE2 = V
IL
CE
≧
VCC- 0.2V ，或CE2
≦
0.2V,
(4)
待机电流CMOS
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
1.
典型的特征是在T
A
= 25
o
C.
2.
这些是相对于设备接地的绝对值，并且由于系统或测试人员通知中包括的所有过冲。
3.
的fmax = 1 /吨
RC
.
4.
48B BGA忽略CE2条件。
5.I
cc
s
B1
为2.0uA / 3.0uA在Vcc = 2.0V / 3.0V和T
A
=70
o
C.
6.
V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(4)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V
(3)
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V
(3)
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.0
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1.
VCC = 1.0V ，T
A
= + 25
O
C
3.
48B BGA忽略CE2条件。
R0201-BS616UV2019
2.
t
RC
=读周期时间
4.
ICC
DR
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
3
修订版1.1
一月
2004
BSI
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
BS616UV2019
V
DR
≥
1.0V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
,
AC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
读周期
（ 48B BGA忽略CE2条件）
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间： 100ns的
（ VCC = 1.9 3.6V ）
周期时间： 85ns
（ VCC = 1.9 3.6V ）
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1 ， 2
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
(1)
100
--
(CE,CE2)
（ LB ， UB ）
(CE,CE2)
（ LB ， UB ）
(CE,CE2)
（ LB ， UB ）
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
35
--
85
--
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
85
85
40
40
--
--
--
35
35
30
--
注意：
1. t
BA
为50ns / 40ns的（ @速度= 100ns的/ 85ns ）与地址切换。 ;吨
BA
为100ns / 85ns （ @速度= 100ns的/ 85ns ）没有地址切换。
R0201-BS616UV2019
4
修订版1.1
一月
2004
