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Am29LV800D
数据表
对于新的设计, S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移
路径。请参考S29AL008D数据表的规格和订购信息。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
Am29LV800D_00
调整
A
修订
4
发行日期
2005年1月21日
这页有意留为空白。
初步
Am29LV800D
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
对于新的设计, S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移
路径。请参考S29AL008D数据表的规格和订购信息。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7至3.6伏的读取和写入操作
对于电池供电的应用
在0.23微米工艺制造
技术
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 兼容0.32微米Am29LV800
设备
高性能
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法
自动写入和校验数据
指定的地址
至少1百万次写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 存取时间快70纳秒
超低功耗(典型
在5MHz的值)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
与JEDEC标准兼容
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令
序列
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备
读阵列数据
本文件包含有关正在开发的产品在FASL LLC的信息。这些信息的目的是
帮助您评估该产品。 FASL LLC公司保留对本建议的产品更改的权利或停止工作
恕不另行通知。
发布
Am29LV800D_00
启示录
A
修订。
4
发行日期:
2005年1月21日
P L I M I N A R
概述
该Am29LV800D是8兆, 3.0伏,只
快闪记忆体组织为1,048,576字节或
524,288字。该器件采用48球
FBGA封装, 44引脚SO和48引脚TSOP封装。
欲了解更多信息,请参阅发布
数21536.字范围内的数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏V
CC
供应进行读取,
程序,以及擦除操作。标准
EPROM编程器也可用于编程
和擦除设备。
该器件采用AMD的0.23制造
微米制程技术,并提供所有如果没有这特性
及其良好的AM29LV800B ,利益这
采用0.32微米工艺制造技
术。
该标准的设备提供访问70次,
90和120纳秒,使高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。要elim-
inate总线争用的设备有不同的
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏
电源
用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
提供了编程和擦除年龄
操作。
该设备完全命令集兼容
JEDEC单电源闪存
斯坦准。
OM要求主要写到
使用标准的微处理器的命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行
程序命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的亲
通过要求只有两个写编程时间
循环编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部algo-
rithm自动preprograms阵列
(如果它尚未编程)之前exe-
琴键擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序
或擦除操作完成,通过观察
RY / BY #引脚,或通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构
让记忆
行业要擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。该
从出厂时设备被完全擦除
工厂。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器可以自动抑制
在电源转换写入操作。该
硬件部门保护
功能禁用
这两个方案,并在任何的COM擦除操作
bination的内存部门。这可以是
在系统或通过编程来实现分析装备
换货。
擦除挂起
特征使得用户能够
把擦除搁置任何一段时间来阅读
从数据或程序数据,任何扇区这
不选择删除。真实背景
擦除可以由此来实现。
硬件RESET #引脚
任何终止
操作进行中和复位内部
状态机来读取阵列数据。该
RESET #引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位会也因此而重置
装置,使系统的微处理器,以
阅读从Flash中引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。
当地址已稳定为指定的
的时间内,该器件进入
自动
马蒂奇睡眠模式。
该系统还可以将
器件进入
待机模式。
功率变
消耗是在这两个大减
模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产
的质量,可靠性和成本的最高水平
有效性。该装置电擦除
所有的BI TS通过Wi薄秒至R同时
福勒- Nordheim隧穿。该数据是亲
编程使用热电子注入。
2
Am29LV800D
Am29LV800D_00_A4_E 2005年1月21日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.............. 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ ...................... 8
有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29LV800D设备总线操作0.10
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.28
CMOS兼容................................................ .................. 28
图1.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) .................... 29
图1.典型的我
CC1
与频率............. 29
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
图1.测试设置................................... 30
表7.测试规范........................................ 30
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图1.输入波形和
测量级别................................... 30
字/字节配置.............................................. ........ 10
对于读阵列数据要求............................... 10
写命令/命令序列......................... 11
编程和擦除操作状态................................... 11
待机模式................................................ .............................. 11
自动休眠模式............................................... ............... 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 11
输出禁止模式............................................... ................ 12
表2. Am29LV800DT热门引导块
扇区地址........................................ 12
表3. Am29LV800DB底部引导块,
扇区地址........................................ 13
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
读操作................................................ ........................ 31
图1.读操作时序............... 31
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 32
图1. RESET#时序........................... 32
字/字节配置( BYTE # ) ................................. 33
图1. BYTE #为计时阅读
操作................................................ 34
图1. BYTE #时序写
操作................................................ 34
自选模式................................................ ........................ 13
表4. Am29LV800D自选代码
(高压法) ................................ 14
擦除/编程操作.............................................. ...... 35
图1.程序操作时序............
图1.芯片/扇区擦除操作
时序................................................. ...
图1.数据#投票计时(在
嵌入式算法) ...............................
图1.触发位计时(在
嵌入式算法) ...............................
图1. DQ2与DQ6 ...............................
36
37
38
38
39
扇区保护/ unprotection的.......................................... 14
临时机构撤消............................................... 14
图1.临时机构撤消
操作................................................. 15
图2.在系统部门保护/
部门撤消算法........................ 16
硬件数据保护............................................... ...... 17
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
读阵列数据............................................... .................... 17
复位命令................................................ ......................... 17
自选命令序列.......................................... 18
字/字节编程命令序列....................... 18
图1.程序操作........................ 19
临时机构撤消............................................... 39
图1.临时机构撤消
时序图......................................... 39
图1.部门保护/撤消
时序图......................................... 40
备用CE#控制
擦除/编程操作.............................................. ...... 41
图1.备用CE #控制的写
操作时序...................................... 42
芯片擦除命令序列.......................................... 19
扇区擦除命令序列...................................... 19
擦除暂停/删除恢复命令....................... 20
图1.擦除操作............................ 21
表5. Am29LV800D命令定义..21
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
DQ7 :数据#投票............................................. ..................... 22
图1.数据#投票算法................. 23
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................... 23
DQ6 :切换位I ............................................. ......................... 24
DQ2 :触发位II ............................................. ........................ 24
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ 24
DQ5 :超过时序限制............................................. 0.25
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 25
图1.切换位算法...................... 25
表6.写操作状态.................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44
TS 048-48针标准TSOP ........................................ 44
TSR048-48引脚的反向TSOP ......................................... 45
FBB 048-48球细间距球栅阵列
( FBGA ) 6 ×9mm的........................................... ........................ 46
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
VBK 048 - 48球细间距球栅阵列
( FBGA ) 6.15 X 8.15毫米........................................... .................. 47
SO 044-44引脚小外形封装.......................... 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.49
2005年1月21日Am29LV800D_00_A4_E
Am29LV800D
3
Am29LV800D
数据表
对于新的设计, S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移
路径。请参考S29AL008D数据表的规格和订购信息。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
Am29LV800D_00
调整
A
修订
4
发行日期
2005年1月21日
这页有意留为空白。
初步
Am29LV800D
8兆位( 1一M× 8位/ 512的K× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
对于新的设计, S29AL008D取代Am29LV800D ,是厂家推荐的迁移
路径。请参考S29AL008D数据表的规格和订购信息。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7至3.6伏的读取和写入操作
对于电池供电的应用
在0.23微米工艺制造
技术
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 兼容0.32微米Am29LV800
设备
高性能
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法
自动写入和校验数据
指定的地址
至少1百万次写周期保证
每个扇区
20年的数据保存在125°C
- 存取时间快70纳秒
超低功耗(典型
在5MHz的值)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48球FBGA
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
与JEDEC标准兼容
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
科幻fteen 64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
科幻fteen 32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令
序列
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备
读阵列数据
本文件包含有关正在开发的产品在FASL LLC的信息。这些信息的目的是
帮助您评估该产品。 FASL LLC公司保留对本建议的产品更改的权利或停止工作
恕不另行通知。
发布
Am29LV800D_00
启示录
A
修订。
4
发行日期:
2005年1月21日
P L I M I N A R
概述
该Am29LV800D是8兆, 3.0伏,只
快闪记忆体组织为1,048,576字节或
524,288字。该器件采用48球
FBGA封装, 44引脚SO和48引脚TSOP封装。
欲了解更多信息,请参阅发布
数21536.字范围内的数据( X16 )
出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据
出现在DQ7 - DQ0 。仅此设备需要
一个单一的, 3.0伏V
CC
供应进行读取,
程序,以及擦除操作。标准
EPROM编程器也可用于编程
和擦除设备。
该器件采用AMD的0.23制造
微米制程技术,并提供所有如果没有这特性
及其良好的AM29LV800B ,利益这
采用0.32微米工艺制造技
术。
该标准的设备提供访问70次,
90和120纳秒,使高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。要elim-
inate总线争用的设备有不同的
芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏
电源
用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生,调节电压
提供了编程和擦除年龄
操作。
该设备完全命令集兼容
JEDEC单电源闪存
斯坦准。
OM要求主要写到
使用标准的微处理器的命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机,它控制
擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作
系统蒸发散。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行
程序命令序列。这将启动
嵌入式程序
算法的内部
算法自动次方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁绕道
模式有利于更快的亲
通过要求只有两个写编程时间
循环编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部algo-
rithm自动preprograms阵列
(如果它尚未编程)之前exe-
琴键擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序
或擦除操作完成,通过观察
RY / BY #引脚,或通过阅读DQ7 (数据#
轮询)和DQ6 (切换)
状态位。
程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构
让记忆
行业要擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。该
从出厂时设备被完全擦除
工厂。
硬件数据保护
措施包括:
低V
CC
探测器可以自动抑制
在电源转换写入操作。该
硬件部门保护
功能禁用
这两个方案,并在任何的COM擦除操作
bination的内存部门。这可以是
在系统或通过编程来实现分析装备
换货。
擦除挂起
特征使得用户能够
把擦除搁置任何一段时间来阅读
从数据或程序数据,任何扇区这
不选择删除。真实背景
擦除可以由此来实现。
硬件RESET #引脚
任何终止
操作进行中和复位内部
状态机来读取阵列数据。该
RESET #引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位会也因此而重置
装置,使系统的微处理器,以
阅读从Flash中引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。
当地址已稳定为指定的
的时间内,该器件进入
自动
马蒂奇睡眠模式。
该系统还可以将
器件进入
待机模式。
功率变
消耗是在这两个大减
模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产
的质量,可靠性和成本的最高水平
有效性。该装置电擦除
所有的BI TS通过Wi薄秒至R同时
福勒- Nordheim隧穿。该数据是亲
编程使用热电子注入。
2
Am29LV800D
Am29LV800D_00_A4_E 2005年1月21日
P L I M I N A R
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
特殊处理的说明FBGA封装.............. 7
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
标准产品................................................ ...................... 8
有效组合。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
表1. Am29LV800D设备总线操作0.10
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.28
CMOS兼容................................................ .................. 28
图1.我
CC1
电流与时间(显示主动
和自动休眠电流) .................... 29
图1.典型的我
CC1
与频率............. 29
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
图1.测试设置................................... 30
表7.测试规范........................................ 30
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
图1.输入波形和
测量级别................................... 30
字/字节配置.............................................. ........ 10
对于读阵列数据要求............................... 10
写命令/命令序列......................... 11
编程和擦除操作状态................................... 11
待机模式................................................ .............................. 11
自动休眠模式............................................... ............... 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ..... 11
输出禁止模式............................................... ................ 12
表2. Am29LV800DT热门引导块
扇区地址........................................ 12
表3. Am29LV800DB底部引导块,
扇区地址........................................ 13
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
读操作................................................ ........................ 31
图1.读操作时序............... 31
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 32
图1. RESET#时序........................... 32
字/字节配置( BYTE # ) ................................. 33
图1. BYTE #为计时阅读
操作................................................ 34
图1. BYTE #时序写
操作................................................ 34
自选模式................................................ ........................ 13
表4. Am29LV800D自选代码
(高压法) ................................ 14
擦除/编程操作.............................................. ...... 35
图1.程序操作时序............
图1.芯片/扇区擦除操作
时序................................................. ...
图1.数据#投票计时(在
嵌入式算法) ...............................
图1.触发位计时(在
嵌入式算法) ...............................
图1. DQ2与DQ6 ...............................
36
37
38
38
39
扇区保护/ unprotection的.......................................... 14
临时机构撤消............................................... 14
图1.临时机构撤消
操作................................................. 15
图2.在系统部门保护/
部门撤消算法........................ 16
硬件数据保护............................................... ...... 17
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
读阵列数据............................................... .................... 17
复位命令................................................ ......................... 17
自选命令序列.......................................... 18
字/字节编程命令序列....................... 18
图1.程序操作........................ 19
临时机构撤消............................................... 39
图1.临时机构撤消
时序图......................................... 39
图1.部门保护/撤消
时序图......................................... 40
备用CE#控制
擦除/编程操作.............................................. ...... 41
图1.备用CE #控制的写
操作时序...................................... 42
芯片擦除命令序列.......................................... 19
扇区擦除命令序列...................................... 19
擦除暂停/删除恢复命令....................... 20
图1.擦除操作............................ 21
表5. Am29LV800D命令定义..21
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
DQ7 :数据#投票............................................. ..................... 22
图1.数据#投票算法................. 23
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................... 23
DQ6 :切换位I ............................................. ......................... 24
DQ2 :触发位II ............................................. ........................ 24
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ 24
DQ5 :超过时序限制............................................. 0.25
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 25
图1.切换位算法...................... 25
表6.写操作状态.................... 26
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
物理尺寸* 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44
TS 048-48针标准TSOP ........................................ 44
TSR048-48引脚的反向TSOP ......................................... 45
FBB 048-48球细间距球栅阵列
( FBGA ) 6 ×9mm的........................................... ........................ 46
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
VBK 048 - 48球细间距球栅阵列
( FBGA ) 6.15 X 8.15毫米........................................... .................. 47
SO 044-44引脚小外形封装.......................... 48
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.49
2005年1月21日Am29LV800D_00_A4_E
Am29LV800D
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