描述
该器件的CMOS动态RAM组织为4,194,304字× 4位,扩展数据进出
模式。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术和设计成从一个单一操作
3.3V oniy电源。低电压工作,以对电池备份用更合适的,便携elec-
TRONIC应用。 LT封装在JEDEC标准的26 / 24-引脚塑料SOJ或TSOP ( II ) 。
特点
单3.3V (
±
10 % ),只有电源
高速吨
RAC
接取时间: 50 / 60ns的
低功耗
- 主动模式:
396分之432毫瓦( MAS)
- 待机模式: 0.54毫瓦( MAS)
扩展 - 数据 - 输出(EDO )网页模式访问
I / O电平: CMOS电平(VCC = 3.3V )
2048年的更新周期在32毫秒(标准)或128毫秒(S版)
4刷新modesh :
- RAS只刷新
- 中科院 - 前 - RAS刷新
- 隐藏刷新
- 自刷新(S版)
Rev.1
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引脚配置
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
24分之26 -PIN 300MIL塑料TSOP ( LL )
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
AD404M42VT
AD404M42VS
引脚说明
引脚名称
A0-A10
功能
地址输入
- 行地址
- 列地址
- 刷新地址
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
电源( + 3.3V )
地
A0-A10
A0-A10
A0-A10
DQ1~DQ4
RAS
CAS
WE
OE
VCC
VSS
Rev.1
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