a
特点
两个12位DAC在一个封装中
DAC梯形电阻匹配： 0.5 ％
节省空间窄身DIP和表面贴装封装
四象限乘法
低增益误差（ 1 LSB（最大值）温度过高）
字节加载结构
快速接口时序
应用
自动测试设备
可编程滤波器
音频应用
同步应用
过程控制
LC MOS
（ 8 + 4 ）加载双通道12位DAC
AD7537
功能框图
2
概述
该AD7537包含一个两个12位电流输出DAC
单芯片。单独的基准输入被提供给每个
DAC 。双通道DAC节省了宝贵的电路板空间，并
单片式结构保证了优异的热跟踪。
两个DAC ，保证12位单调性在整个温
温度范围内。
该AD7537有一个2字节（ 8位LSB ， 4个MSB ）加载结构。
它是专为右对齐数据格式。所述控制信号
对于寄存器加载的A0 ， A1 ，
CS ， WR
和
UPD 。
数据
加载到输入寄存器时
CS
和
WR
是低的。对
此数据传送到DAC寄存器，
UPD
必须采取低
同
WR 。
在AD7537增加的功能包括：异步
CLR
线，是在校准例程非常有用的。若这是
低电平时，所有寄存器清零。的双缓冲
数据输入允许两个DAC的同步更新。另外，
每个DAC都有一个独立的AGND线。这增加了设备
通用性;例如一个DAC可以被操作
AGND偏置，而另一个被连接在标准中
配置。
在AD7537采用线性兼容制造
CMOS （ LC
2
MOS）工艺。它是与最速兼容
微处理器和接受TTL ， 74HC和5 V CMOS逻辑
电平输入。
产品亮点
1. DAC至DAC匹配：
因为两个DAC被制作在同一个芯片上，精确
匹配和跟踪是与生俱来的。许多应用场合
是不实际的使用两个分立的DAC现在是可能的。
典型的匹配： 0.5 ％ 。
2.小尺寸封装：
在AD7537封装在小型24引脚DIP封装0.3"和
28端子表面贴装封装。
3.宽电源电压容差：
该器件工作于+ 12V至+15 V V
DD
与
±
10%
宽容这个标称的身影。所有规格
保证在这个范围内。
启示录
A
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话：
781/329-4700
传真：
781/461-3113
AD7537–SPECIFICATIONS
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
增益温度COEF网络cient
2
;
ΔGain / ΔTemperature
输出漏电流
I
OUTA
+25°C
T
民
给T
最大
I
OUTB
+25°C
T
民
给T
最大
参考输入
输入阻抗
V
REFA
, V
REFB
输入电阻匹配
数字输入
V
IH
（ lnput高压）
V
IIL
（输入低电压）
I
IN
（输入电流）
+25°C
T
民
给T
最大
C
IN
（ lnput电容）
2
电源
3
V
DD
I
DD
，A
版本
12
±
1
±
1
±
6
K，B
版本
12
±
1/2
±
1
±
3
(V
DD
= +12 V至+15 V， 10 ％ ，V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGND = 0 V ，
I
OUTB
= AGNDB = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
L，C
版本
12
±
1/2
±
1
±
1
S
VERSION
12
±
1
±
1
±
6
T
VERSION
12
±
1/2
±
1
±
3
U
VERSION
12
±
1/2
±
1
±
2
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
测试条件/评论
所有等级保证单
进补过温。
测量基于R
FBA
, R
FBB
.
两个DAC寄存器加载
全1 。
±
5
10
150
10
150
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
±
5
10
150
10
150
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
±
5
10
150
10
150
9
20
±
1
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
±
5
10
250
10
250
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
±
5
10
250
10
250
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
±
5
10
250
10
250
9
20
±
1
2.4
0.8
±
1
±
10
10
10.8/16.5
2
PPM / °C最大值典型值是1 PPM /°C的
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
kΩ最大值
％最大
V分钟
V最大
μA
最大
μA
最大
pF的最大
V MIN / V最大
最大mA
V
IN
= V
DD
DAC A寄存器加载
用全0
DAC寄存器B装
用全0
典型的输入电阻= 14 kΩ的
通常
±
0.5%
AC性能特点
参数
输出电流稳定时间
T
A
= +25 C
1.5
这些特性包括仅供设计参考，并不受考验。
(V
DD
= +12 V至+15 V ; V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGNDA = 0 V，I
OUTB
= AGNDB = 0 V输出放大器AD644除非另有说明。 ）
T
A
= T
民
, T
最大
单位
μs
最大
测试条件/评论
对满量程范围0.01 ％ 。我
OUT
负荷= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的。
从下降沿测得的DAC输出
WR 。
建立时间的典型值是0.8
μs.
与V测
REFA
= V
REFB
= 0 V.我
OUTA
, I
OUTB
负荷= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的。 DAC寄存器加载交替使用全0和全1 。
V
REFA
, V
REFB
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波。
DAC寄存器加载全0 。
数模转换毛刺lmpulse
AC穿心
4
V
REFA
到我
OUTA
V
REFB
到我
OUTB
电源抑制
ΔGain / ΔV
DD
输出电容
C
OUTA
C
OUTB
C
OUTA
C
OUTB
通道到通道隔离
V
REFA
到我
OUTB
V
REFB
到我
OUTA
数字串扰
输出噪声电压密度
（10赫兹-100 kHz）的
总谐波失真
笔记
1
温度范围如下：
7
nV-s表示，典型值
–70
–70
±
0.01
70
70
140
140
–84
–84
7
25
–82
–65
–65
±
0.02
70
70
140
140
最大分贝
最大分贝
％按％最大
ΔV
DD
= V
DD
最大值= V
DD
民
pF的最大
pF的最大
pF的最大
pF的最大
dB典型值
dB典型值
nV-s表示，典型值
内华达州/ √Hz的典型值
dB典型值
2
3
DAC A ， DAC B加载全0
DAC A ， DAC B装有全1
V
REFA
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波，V
REFB
= 0 V.
两个DAC加载全1 。
V
REFB
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波，V
REFA
= 0 V.
两个DAC加载全1 。
测量全0至全1一个代码转换。
I
OUTA
, I
OUTB
负荷= 100
Ω,
C
EXT
= 13 pF的。
测量R的
FBA
我
OUTA
或R
FBB
我
OUTB 。
测量的频率为10 Hz至100 kHz的。
V
IN
= 6 V RMS， 1千赫。两个DAC加载全1 。
J，K ，L版本： -40 ° C至+ 85°C ;
A， B，C版本： -40°C至+ 85°C ;
S， T，U版本： -55 ° C至+ 125°C
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
功能在V
DD
= 5 V ，以降低规格。
4
关于陶瓷DIP和12脚（ DGND ）被连接到盖子。
–2–
启示录
A
AD7537
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
在极限
T
A
= +25 C
15
15
60
25
0
0
80
80
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGNDA = 0 V，I
OUTB
= AGNDB = 0 V ）
在极限
T
A
= +55 C
+125
30
25
80
25
0
0
100
100
在极限
T
A
= –40 C
到+ 85℃
15
15
80
25
0
0
80
80
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
测试条件/评论
地址有效到写建立时间
地址有效到写保持时间
数据建立时间
数据保持时间
片选或更新写建立时间
片选或更新写保持时间
把脉冲宽度
清除脉冲宽度
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
REFA
, V
REFB
到AGNDA ， AGNDB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
25 V
V
RFBA
, V
RFBB
到AGNDA ， AGNDB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
25 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
I
OUTA
, I
OUTB
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
AGNDA ， AGNDB至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
功率耗散（任何套餐）
至+ 75°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
减额高于+ 75 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6毫瓦/°C的
工作温度范围
商业塑料（J ， K，L版本） 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工业密封（A ， B，C版本） 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
延长密封（S ， T，U版本） 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
*条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD7537具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
图1.时序图
启示录
A
–3–
AD7537
引脚功能说明
（ PDIP ）
针
1
2
3
4
5
6–14
12
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
助记符
AGNDA
I
OUTA
R
FBA
V
REFA
CS
DB0–DB7
DGND
A0
A1
CLR
WR
UPD
V
DD
V
REFB
R
FBB
I
OUTB
AGNDB
描述
模拟地的DAC A.
DAC A的电流输出端
反馈电阻DAC A.
参考输入到DAC A.
片选输入，低电平有效。
8个数据输入， DB0 - DB7 。
数字地。
地址线0 。
地址第一行。
清除输入。低电平有效。清除所有
寄存器。
写输入。低电平有效。
从输入更新DAC寄存器
寄存器。
电源输入。名义上+ 12V
到15伏，以
±
10 ％的容差。
参考输入到DAC B.
反馈电阻DAC B.
DAC B的电流输出端
模拟地的DAC B.
流动的电流在每个梯形腿是恒定的，而不论
开关状态。所述反馈电阻R
FBA
用于与一个运算放大器
（参见图4和图5） ，以转换当前流入我
OUTA
to
电压输出。
图2.简化电路图的DAC A
等效电路分析
图3示出了等效电路的D / A CON- 1
变流器（ DAC A ）的AD7537 。类似的等效电路
可以得出的DAC B.
C
OUT
是输出电容由于N-沟道开关
而各不相同，从50 pF到150 pF的数字输入码。
电流源I
LKG
由表面和结
泄漏和大约增加一倍，每10 ℃。
0
为
取值与该装置的等效输出阻
输入代码。
数字电路信息
销刀豆网络gurations
PDIP和SOIC
数字输入端被设计为TTL和5 V CMOS
兼容。所有逻辑输入是静态保护MOS闸
小于1 nA的典型输入电流。
表一， AD7537真值表
CLR UPD CS WR
A1 A0功能
1
1
0
1
PLCC
1
1
X
1
1
1
1
0
0
1
X
X
0
0
0
0
1
0
X
1
X
0
0
0
0
0
0
X
X
X
0
0
1
1
X
X
X
X
X
0
1
0
1
X
X
1
1
1
1
1
没有数据传输
没有数据传输
所有寄存器清零
DAC A LS输入寄存器
装载DB7 - DB0 （ LSB ）
DAC A MS输入寄存器
装载DB3 （ MSB ） -DB0
DAC B LS输入寄存器
装载DB7 - DB0 （ LSB ）
DAC B MS输入寄存器
装载DB3 （ MSB ） -DB0
DAC A ， B DAC寄存器
更新的同时从
输入寄存器
DAC A ， B DAC寄存器是
透明
注：X =无关
电路信息 - D / A部分
该AD7537包含两个相同的12位乘法D / A
转换器。每个DAC包括一个高度稳定的R-2R梯形的
和12 N沟道电流控制开关。图2示出
简化的D / A电路， DAC A.在R- 2R梯形，二进制
加权电流是我的转向
OUTA
和AGNDA 。该
–4–
图3.等效模拟电路DAC A
启示录
A
Applications–AD7537
单极二元运算
（ 2象限乘法）
双极性工作
（四象限乘法）
图4示出的电路图中用于单极二进制操作
化。与交流输入端，该电路进行二象限乘法
阳离子。码表用于图4中给出了表II中。
运算放大器A1和A2可以是在单一封装
（ AD644 ， AD712 ）或单独的包（ AD544 ， AD711 ，
AD OP27 ） 。电容器C1和C2提供相位补偿
以帮助防止过冲和振铃时，高速运算放大器
被使用。
对于零偏移调整，相应的DAC寄存器
加载全0和放大器偏移调整，使V
OUTA
or
V
OUTB
是0V。满量程微调是通过装载完成
DAC寄存器以全1，调节R 1 （R 3） ，使
V
OUTA
(V
OUTB
) = –V
IN
（四千零九十六分之四千零九十五） 。高温OP-
关合作，电阻器和电位器应具有低的温
漂移系数。在许多应用中，因为，
出色的增益T.C.和增益误差的规格
AD7537 ，增益误差微调是没有必要的。固定为参考
EnCE的应用中，满刻度，也可以省略电阻R1调整，
R 2， R 3 ，R 4和微调参考电压幅度。
推荐电路图双极性操作
在图5中偏移二进制编码表示被使用。
加载至1000 0000 0000相应的DAC寄存器，
调整R 1 （R 3）使V
OUTA
(V
OUTB
） = 0 V可选地， R 1，
R 2 （ R 3 ， R 4）可以省略，且R6的比值，R 7 （R 9 ，10）
多样的V
OUTA
(V
OUTB
） = 0 V满量程微调可以AC-
通过调整Ⅴ的振幅complished
IN
或通过改变
R5 （ R8 ）的值。
如果R1，R2 （ R3，R4）没有被使用，则电阻器R5 ，R6，R7 （ R8，
R9，R10 ）应比匹配到0.01％ ，以确保增益误差
性能数据表规范。当操作
在很宽的温度范围内，但重要的是该电阻器
是相同类型的，使得它们的温度系数相匹配。
码表用于图5中给出了表III中。
图5.双极性工作（偏移二进制编码）
表Ⅲ。双极性码表为偏移二进制
图5的电路
图4. AD7537单极性的二进制运算
表II中。单极性的二进制代码表
电路图4的
二进制数
DAC寄存器
最高位
最低位
1111 1111 1111
模拟输出
V
OUTA
或V
OUTB
2047
+V
IN
2048
1
+V
IN
2048
二进制数
DAC寄存器
最高位
最低位
1111 1111 1111
模拟输出
V
OUTA
或V
OUTB
1000 0000 0001
1000 0000 0000
0111 1111 1111
4095
V
IN
4096
2048
V
IN
=
12
V
IN
4096
1
V
IN
4096
0
V
–5–
0
V
1
V
IN
2048
2048
V
IN
= V
IN
2048
1000 0000 0000
0000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 0000 0000
启示录
A
