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ASCEND
半导体
4Mx4 EDO
数据表
Rev.1
第1页
公元40 4M 4 2 V S A - 5
ASCEND
半导体
EDO / FPM
D- RAMBUS
DDRSDRAM
DDRSGRAM
SGRAM
SDRAM
:
:
:
:
:
:
40
41
42
43
46
48
密度
16M
: 16兆比特
8M
: 8兆比特
4M
: 4兆比特
2M
: 2兆比特
1M
: 1兆比特
组织
4:
x4
8
: x8
9
: x9
16
: x16
18
: x18
32
: x32
刷新
1
: 1K
8
: 8K
2
: 2K
6
:16K
4
: 4K
最小周期时间(最大频率)。
-5
:为5ns ( 200MHz的)
-6
:为6ns ( 167MHz )
-7
:为7ns ( 143MHz下)
-75
: 7.5ns ( 133MHz的)
-8
:为8ns ( 125MHz的)
-10
:为10ns ( 100MHz时)
EDO :
-5 ( 50纳秒)
-6 ( 60纳秒)
调整
A :
1st
B :
2nd
C :
3rd
D: 4
接口
V:
3.3V
R:
2.5V
C:
CSP
B:
UBGA
T:
TSOP
Q:
TQFP
P:
PQFP ( QFP )
L:
LQFP
S:
SOJ
Rev.1
第2页
描述
该器件的CMOS动态RAM组织为4,194,304字× 4位,扩展数据进出
模式。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术和设计成从一个单一操作
3.3V oniy电源。低电压工作,以对电池备份用更合适的,便携elec-
TRONIC应用。 LT封装在JEDEC标准的26 / 24-引脚塑料SOJ或TSOP ( II ) 。
特点
单3.3V (
±
10 % ),只有电源
高速吨
RAC
接取时间: 50 / 60ns的
低功耗
- 主动模式:
396分之432毫瓦( MAS)
- 待机模式: 0.54毫瓦( MAS)
扩展 - 数据 - 输出(EDO )网页模式访问
I / O电平: CMOS电平(VCC = 3.3V )
2048年的更新周期在32毫秒(标准)或128毫秒(S版)
4刷新modesh :
- RAS只刷新
- 中科院 - 前 - RAS刷新
- 隐藏刷新
- 自刷新(S版)
Rev.1
第3页
引脚配置
24分之26 -PIN 300MIL塑料SOJ
24分之26 -PIN 300MIL塑料TSOP ( LL )
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
DQ1
DQ2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
DQ4
DQ3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
AD404M42VT
AD404M42VS
引脚说明
引脚名称
A0-A10
功能
地址输入
- 行地址
- 列地址
- 刷新地址
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
电源( + 3.3V )
A0-A10
A0-A10
A0-A10
DQ1~DQ4
RAS
CAS
WE
OE
VCC
VSS
Rev.1
第4页
框图
WE
CAS
控制
逻辑
数据输入缓冲
DQ1
.
.
DQ4
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
OE
COLUMN
地址
缓冲器( 11 )
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
ROW
解码器
COLUMN
解码器
刷新
调节器
2048
感测放大器
I / O选通
刷新
计数器
2048x4
A10
ROW
地址
缓冲器( 11 )
2048x2048x4
内存
ARRAY
2048
RAS
第1时钟
发电机
VCC
VSS
Rev.1
第5页
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