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2SK3177
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
ADE - 208-745A （ Z）
第2位。版
1999年2月
特点
低导通电阻
R
DS
= 90毫欧（典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
TO–220FM
D
G
1 2
S
1.门
2.漏
3.源
3
2SK3177
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±20
15
60
15
15
15
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
200
±20
—
—
1.0
—
—
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
90
95
20
1600
510
250
20
120
400
170
0.85
100
最大
—
—
±10
10
2.5
115
125
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 50 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 8 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
R
L
= 3.75
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
门源漏电流
零门voltege漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SK3177
主要特点
功率与温度降额
40
100
最高安全工作区
10
PW
DC
Op
ERA
P沟（W）的
I
D
(A)
30
10
3
1
30
=1
0
TIO
n(
ms
Tc
=
1m
(1s
h
25
10
0
s
s
s
散热通道
20
漏电流
OT ）
10
操作
0.3这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
0.03
0.01
TA = 25℃
1
2
5
°C
)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
10 20
50 100 200 500
V
DS
(V)
外壳温度
漏源极电压
典型的输出特性
50
脉冲测试
10 V
6V
4V
3.5 V
30
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
漏电流
(A)
3V
40
16
12
漏电流
20
8
TC = 75℃
–25°C
25°C
10
V
GS
=2.5 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
4
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
5
V
GS
(V)
3
2SK3177
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
500
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS （上
) (V)
脉冲测试
4
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m )
5
200
V
GS
= 4 V
100
10 V
50
3
2
I
D
= 15 A
1
10 A
5A
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
20
10
1
2
50
10 20
5
漏电流I
D
(A)
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
( m)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
500
脉冲测试
400
5, 10 A
15 A
200
V
GS
= 4 V
5, 10 A
100
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
c
(°C)
15 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
50
25 °C
20
TC = -25°C
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
漏电流I
D
(A)
100
75 °C
300
4
2SK3177
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
10000
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
5000
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
500
2000
1000
500
200
100
50
西塞
200
100
50
科斯
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
20
10
0.1
20
10
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
200
V
GS
V
DS
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
20
500
300
吨D（关闭）
tf
开关时间t（ NS ）
160
16
100
30
10
漏源极电压
120
12
栅极至源极电压
tr
吨D（上）
80
I
D
= 15 A
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
40
80
120
160
栅极电荷Qg （ NC ）
8
40
4
0
200
3
1
0.1
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 5微秒，占空比< 1 ％
0.3
3
1
漏电流
10
I
D
(A)
30 100
0
5
2SK3177
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1089-0300
（上一个： ADE- 208-745A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
特点
低导通电阻
R
DS
= 90mΩ （典型值） 。
高速开关
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AD -A
（包名称： TO- 220FM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
Rev.3.00 2005年9月7日第1页7
2SK3177
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°
C
3.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
200
±20
15
60
15
15
15
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
200
±20
—
—
1.0
—
—
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
90
95
20
1600
510
250
20
120
400
170
0.85
100
最大
—
—
±10
10
2.5
115
125
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 8 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 3.75
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
Rev.3.00 2005年9月7日第2 7
2SK3177
主要特点
功率与温度降额
40
100
30
PW
DC
Op
ERA
最高安全工作区
10
10
=1
TIO
通道耗散P沟（W）的
s
漏电流I
D
(A)
30
10
3
1
0m
Tc
1m
s(
1s
0
s
t)
s
20
n(
ho
=2
10
操作
0.3这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
0.03
5
°
C)
0
0.01
50
100
150
200
1
TA = 25°C
2
5
10 20
50 100 200 500
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
脉冲测试
10 V
6V
4V
3.5 V
30
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
40
16
12
20
3V
8
TC = 75℃
–25°C
25°C
10
V
GS
=2.5 V
4
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
5
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
500
脉冲测试
4
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
200
V
GS
= 4 V
3
100
10 V
50
2
I
D
= 15 A
1
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
20
10
1
2
5
10
20
50
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第3页7
2SK3177
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
500
脉冲测试
400
5, 10 A
15 A
200
V
GS
= 4 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳
与漏电流
50
25°C
20
TC = -25°C
10
5
2
1
0.5
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
75°C
300
5, 10 A
100
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
15 A
0.3
1
3
10
30
100
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
10000
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
5000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
电容C （PF ）
2000
1000
500
200
100
50
20
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
200
100
50
科斯
CRSS
20
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
200
V
GS
开关特性
20
500
300
TD （关闭）
tf
160
V
DS
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
16
开关时间t（ NS ）
100
30
10
120
12
tr
TD （上）
80
I
D
= 15 A
V
DD
= 150 V
100 V
50 V
8
40
4
0
200
3
1
0.1
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
0
40
80
120
160
0.3
1
3
10
30 100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第4 7
2SK3177
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
(A)
20
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
I
AP
= 15 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
反向漏电流I
DR
16
10 V
12
16
12
8
V
GS
= 0, –5 V
8
4
5V
脉冲测试
4
0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
秒（ t）的
θ
CH - C
θ
CH - C = 3.57 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
PW
T
0.01
10
1s
ho
u
tp
LSE
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
PW （S ）
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.3.00 2005年9月7日第5 7
查看更多2SK3177PDF信息
推荐型号
2MBI200N-060
28-6573-11
2016L150
2SB1190P
22R475MC
2-282812-3
2SD1770P
20020107-D121A01LF
2SB1136
24AA32
252-7164-75-1157
2SD2121S
2SB710Q
28104C
2SD2395E
2N3563
24LCS41A-I/P
290-032-2800
2SA1734
23S08-3DCG8
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SK3177
    -
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