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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1669
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
ASO
应用
·继电器
DRIVERS
高
速度逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2SB1136
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
固电
IN
导½
半
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
最大
-60
-50
-6
-12
-15
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
集电极电流峰值
T
a
=25℃
2
W
30
150
-55~150
℃
℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB1136
最大
单位
V
V
V
-0.4
-100
-100
280
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
跃迁频率
导½
半
开启时间
贮存时间
IN
R
ES
昂
CH
S
140-280
ICO
EM
OR
UCT
ND
10
0.2
0.4
0.1
兆赫
μs
μs
μs
I
C
= -2.0A我
B1
=-I
B2
=-0.2A
h
FE-1
分类
Q
70-140
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1136
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1136
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
4
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1669
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
ASO
应用
·继电器
DRIVERS
高
速度逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2SB1136
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最大
-60
-50
-6
-12
-15
2
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB1136
最大
单位
V
V
V
-0.4
-100
-100
280
V
μA
μA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2.0A我
B1
=-I
B2
=-0.2A
0.2
0.4
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1136
图2外形尺寸
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1136
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SD1669
ULOW
集电极饱和电压
ùWide
ASO
应用
·继电器
DRIVERS
高
速度逆变器，转换器
■一般
大电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2SB1136
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最大
-60
-50
-6
-12
-15
2
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=∞
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
10
民
-50
-60
-6
典型值。
2SB1136
最大
单位
V
V
V
-0.4
-100
-100
280
V
μA
μA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2.0A我
B1
=-I
B2
=-0.2A
0.2
0.4
0.1
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1136
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1136
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SD1669
·低集电极饱和电压
·宽ASO
应用
·继电器驱动器
·高速逆变器，转换器
·一般高电流开关应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
2SB1136
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最大
-60
-50
-6
-12
-15
2
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=;
I
C
= -1mA ，我
E
=0
I
E
= -1mA ，我
C
=0
I
C
= -6A ;我
B
=-0.6A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
I
C
= -5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
70
30
民
-50
-60
-6
2SB1136
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.4
-100
-100
280
V
A
A
10
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2.0A我
B1
=-I
B2
=-0.2A
0.2
0.4
0.1
s
s
s
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1136
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1136
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298D225X0016M2T
22-28-2033
2MBI200N-060
28-6573-11
2016L150
2SB1190P
22R475MC
2-282812-3
2SD1770P
20020107-D121A01LF
24AA32
2SK3177
252-7164-75-1157
2SD2121S
2SB710Q
28104C
2SD2395E
2N3563
24LCS41A-I/P
290-032-2800
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2SB1136
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    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
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    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2SB1136
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    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    2SB1136
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深圳市芯脉实业有限公司
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电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
2SB1136
M/A-COM
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原装正品
深圳市春东电子有限公司
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电话：0755-82563615/82563213
联系人：朱先生/王小姐
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2SB1136
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射频微波器件
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深圳市腾昌芯科技有限公司
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电话：0755-28013727
联系人：朱先生
地址：深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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联系人：李小姐
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电话：0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人：销售部
地址：广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
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北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2SB1136
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
深圳市金启宁科技有限公司
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