2SJ586
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±10
-100
-400
-100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值的氧化铝陶瓷板（ 12.5× 20 x0.7毫米）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零门voltege漏
当前
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
民
-20
±10
—
—
-0.8
—
—
94
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
4.1
6.0
144
28
21
7
30
90
87
97
最大
—
—
±5
-1
-1.8
5.0
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= -100
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0
I
D
= -10μA ，V
DS
= -5 V
I
D
= -50毫安，V
GS
= -4 V
注3
I
D
= -50毫安，V
GS
= -2.5 V
注3
I
D
= -50毫安，V
DS
= -10 V
注3
门源截止电压V
GS （ OFF ）
静态漏源状态R
DS （ ON）
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
V
DS
= -10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= -50毫安，V
GS
= -4 V
R
L
= 200
反向传输电容的Crss
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意：
3.脉冲测试
4.标记为CP
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
2
2SJ586
主要特点
功率与温度降额
400
最高安全工作区
-5
-2
-1.0
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-0.005
-0.002
-0.001
* P沟（ mW）的
300
I D （ A）
10 s
100 s
1毫秒
PW = 10毫秒
（ 1拍）
功耗
200
漏电流
100
在这一领域
通过RDS限制（上）
DC
pe
O
t
ra
io
n
0
50
100
环境温度
150
200
的Ta （℃）
-0.0005
-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2
TA = 25℃
-5 -10 -20
-50
漏源极电压
VDS （ V）
*在氧化铝陶瓷基板的价值。 （ 12.5x20x0.7mm ）
在氧化铝陶瓷基板的价值。 （ 12.5x20x0.7mm ）
典型的输出特性
–1.0
–10 V
–6 V
–7 V
–0.5
–5 V
脉冲测试
–4 V
–0.6
典型的传输特性
V DS = -10 V
脉冲测试
I D （ A）
–8 V
(A)
–0.8
–0.4
TC = -25°C
25 °C
75 °C
ID
漏电流
–0.3
漏电流
–0.4
–3 V
–0.2
–0.2
VGS = -1 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–2 V
–10
VDS （ V）
–8
–0.1
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
VGS （ V）
–5
3
2SJ586
漏极至源极饱和电压
与门源电压
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
漏极至源极饱和电压
V DS （ ON） （V ）
–2
= 10毫安
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
( )
100
50
20
10
5
VGS = -4 V
2
1
-0.01
脉冲测试
-0.1
漏电流
–1.0
I D （ A）
–1.6
–1.2
升D = -50毫安
–0.8
-100毫安
–2.5 V
–0.4
0
–2
–4
–6
–8
–10
门源电压VGS （ V）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
( )
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向传输Adnittance | YFS | （ S）
20
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
–0.001
Forwaed转移导纳
与漏电流
16
-100m一
12
-2.5V
8
I
D
= -50m一
-10m一
TC = -25°C
25 °C
75 °C
4
V
GS
= -4V
0
40
80
-10m A， -50m A， -100mA
脉冲测试
120
Tc
( °C)
160
V DS = -10 V
脉冲测试
–0.01
–0.1
–1.0
0
–40
外壳温度
漏电流I D（ A）
4
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SJ586
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
PCH
注2
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±10
-100
-400
-100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值的氧化铝陶瓷板（ 12.5× 20 x0.7毫米）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零门voltege漏
当前
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
民
-20
±10
—
—
-0.8
—
—
94
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
4.1
6.0
144
28
21
7
30
90
87
97
最大
—
—
±5
-1
-1.8
5.0
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= -100
A,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±8
V, V
DS
= 0
V
DS
= -20 V, V
GS
= 0
I
D
= -10μA ，V
DS
= -5 V
I
D
= -50毫安，V
GS
= -4 V
注3
I
D
= -50毫安，V
GS
= -2.5 V
注3
I
D
= -50毫安，V
DS
= -10 V
注3
门源截止电压V
GS （ OFF ）
静态漏源状态R
DS （ ON）
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
V
DS
= -10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= -50毫安，V
GS
= -4 V
R
L
= 200
反向传输电容的Crss
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意：
3.脉冲测试
4.标记为CP
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
2SJ586
主要特点
功率与温度降额
400
最高安全工作区
-5
-2
-1.0
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-0.005
-0.002
-0.001
* P沟（ mW）的
300
I D （ A）
10 s
100 s
1毫秒
PW = 10毫秒
（ 1拍）
功耗
200
漏电流
100
在这一领域
通过RDS限制（上）
DC
pe
O
t
ra
io
n
0
50
100
环境温度
150
200
的Ta （℃）
-0.0005
-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2
TA = 25℃
-5 -10 -20
-50
漏源极电压
VDS （ V）
*在氧化铝陶瓷基板的价值。 （ 12.5x20x0.7mm ）
在氧化铝陶瓷基板的价值。 （ 12.5x20x0.7mm ）
典型的输出特性
–1.0
–10 V
–6 V
–7 V
–0.5
–5 V
脉冲测试
–4 V
–0.6
典型的传输特性
V DS = -10 V
脉冲测试
I D （ A）
–8 V
(A)
–0.8
–0.4
TC = -25°C
25 °C
75 °C
ID
漏电流
–0.3
漏电流
–0.4
–3 V
–0.2
–0.2
VGS = -1 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–2 V
–10
VDS （ V）
–8
–0.1
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
–5
VGS （ V）
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