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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第328页 > 2N6292G
PNP - 2N6107 , 2N6109 ,
2N6111 ; NPN - 2N6288 ,
2N6292
其他芯片
塑料功率晶体管
这些器件设计用于通用放大器使用,
开关应用。
特点
http://onsemi.com
直流电流增益指定为7.0安培
h
FE
= 30150 @ I
C
= 3.0 ADC
2N6111, 2N6288
= 2.3 (最小值) @我
C
= 7.0 ADC
所有器件
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO ( SUS )
= 30伏直流(最小值)
2N6111, 2N6288
= 50伏直流(最小值)
2N6109
= 70伏直流(最小值)
2N6107, 2N6292
高电流增益
带宽积
f
T
= 4.0兆赫(最小值) @我
C
= 500 MADC
2N6288, 90, 92
= 10兆赫(最小值) @我
C
= 500 MADC
2N6107, 09, 11
TO- 220AB封装紧凑
无铅包可用*
等级
符号
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
V
首席执行官
价值
30
50
70
40
60
80
5.0
7.0
10
3.0
40
0.32
65
+150
单位
VDC
7安培
功率晶体管
其他芯片
30
50
70伏, 40瓦
记号
4
TO220AB
CASE 221A
风格1
1
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
2N6xxxG
AYWW
最大额定值
(注1 )
集电极 - 发射极电压
2
3
2N6xxx
xxx
G
A
Y
WW
集电极 - 基极电压
V
CB
VDC
=具体设备守则
=请参阅表第4页
= Pb-Free包装
=大会地点
=年
=工作周
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃,
°C
订购信息
查看详细的订购,标记,并在发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
QJC
最大
3.125
单位
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示JEDEC注册的数据。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
1
出版订单号:
2N6107/D
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年10月
9牧师
PNP
2N6107 , 2N6109 , 2N6111 ; NPN
2N6288, 2N6292
40
PD ,功耗(瓦)
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
T
C
,外壳温度( ° C)
140
160
图1.功率降额
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明) (注2 )
特征
开关特性
符号
最大
单位
VDC
集电极 - 发射极耐受电压(注3 )
(I
C
= 100 MADC ,我
B
= 0)
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
V
CEO ( SUS )
30
50
70
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 20伏直流,我
B
= 0)
(V
CE
= 40 VDC ,我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,我
B
= 0)
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
I
首席执行官
MADC
1.0
1.0
1.0
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ,V
EB (O FF )
= 1.5伏)
(V
CE
= 60 VDC ,V
EB (O FF )
= 1.5伏)
(V
CE
= 80伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏)
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB (O FF )
= 1.5伏,T
C
= 150_C)
(V
CE
= 50伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,T
C
= 150_C)
(V
CE
= 70伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,T
C
= 150_C)
发射极截止电流(V
BE
= 5.0伏,我
C
= 0)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
(I
C
= 2.5 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
(I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
(I
C
= 7.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
I
CEX
100
100
100
2.0
2.0
2.0
1.0
MADC
MADC
I
EBO
h
FE
MADC
基本特征
(注3)
2N6107, 2N6292
2N6109
2N6111, 2N6288
所有器件
30
30
30
2.3
150
150
150
3.5
3.0
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 7.0 ADC ,我
B
= 3.0 ADC)
基射极电压上(我
C
= 7.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏)
电流增益 - 带宽积(注4 )
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 4.0伏,女
TEST
= 1.0兆赫)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
VDC
VDC
动态特性
2N6288, 92
2N6107, 09, 11
4.0
10
兆赫
输出电容(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
ob
h
fe
250
pF
小信号电流增益(I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 50千赫)
表示JEDEC注册的数据。
脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
f
T
= |h
fe
|
f
TEST
20
2.
3.
4.
http://onsemi.com
2
PNP
2N6107 , 2N6109 , 2N6111 ; NPN
2N6288, 2N6292
V
CC
+ 30 V
25
ms
+11 V
0
51
- 9.0 V
t
r
, t
f
10纳秒
占空比= 1.0 %
-4 V
D
1
R
B
R
C
范围
R
B
和R
C
是变化的,以获得期望的电流水平
D1必须快速恢复型,如:
1N5825上面使用我
B
百毫安
MSD6100下使用我
B
百毫安
图2.开关时间测试电路
2.0
1.0
0.7
0.5
T, TIME (
μ
s)
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.07 0.1
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
t
r
t
d
@ V
BE (OFF)的
5.0 V
1.0
0.2 0.3
0.5
2.0
I
C
,集电极电流( AMP )
3.0
5.0 7.0
图3.开启时间
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
Z
QJC (T )
= R(T )R
QJC
R
QJC
= 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
- T
C
= P
( PK)
Z
QJC
(t)
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
P
( PK)
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
http://onsemi.com
3
PNP
2N6107 , 2N6109 , 2N6111 ; NPN
2N6288, 2N6292
15
10
0.5毫秒
dc
0.1
ms
电流限制
击穿极限
热限制
@ T
C
= 25°C (单脉冲)
2.0 3.0
20 30
50
5.0 7.0 10
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
0.1毫秒
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
5.0毫秒
0.3
0.2
0.15
1.0
70 100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J(下PK)
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10%的规定
T
J(下PK)
v
150_C 。牛逼
J(下PK)
可以从在数据计算
图4.在高温情况下,热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
IC ,集电极电流( AMPS )
图5.活动区安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.07 0.1
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
200
C,电容(pF )
C
ib
100
70
50
C
ob
T
J
= 25°C
T, TIME (
μ
s)
t
r
0.2
0.3
0.5
2.0 3.0
1.0
I
C
,集电极电流( AMP )
5.0 7.0
30
0.5
1.0
10
20
2.0 3.0
5.0
V
R
,反向电压(伏)
30
50
图6.开启,关闭时间
图7.电容
订购信息
设备
2N6107
2N6107G
2N6109
2N6109G
2N6111
2N6111G
2N6288
2N6288G
2N6292
2N6292G
2N6292
2N6288
2N6111
2N6109
2N6107
器件标识
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
航运
http://onsemi.com
4
PNP
2N6107 , 2N6109 , 2N6111 ; NPN
2N6288, 2N6292
包装尺寸
TO220
CASE 221A -09
发行公司
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.036
0.142
0.161
0.095
0.105
0.110
0.161
0.014
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
---
---
0.080
MILLIMETERS
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.91
3.61
4.09
2.42
2.66
2.80
4.10
0.36
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
---
---
2.04
T
B
4
座位
飞机
F
T
C
S
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5817-1050
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为了文学:
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5
2N6107/D
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    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2N6292G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    2N6292G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2N6292G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13723477318
联系人:杨
地址:福田区华富路航都大厦17G
2N6292G
Onsemi/安森美
22+
100312
原装正品,仓库现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-83211840
联系人:朱先生
地址:办公地址:深圳市福田区振兴路109号华康大厦2栋215《本公司为一般纳税人,可开13%增值税票》
2N6292G
ON
20+
2000
标准封装
进口原装,支持终端配单!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
2N6292G
欧美编号 337
㊣10/11+
8418
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:刘先生
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2N6292G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9659
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2N6292G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10400
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:陈小姐/陈先生
地址:深圳市福田区华强北路华强广场D栋13B
2N6292G
ON
2011+
23437
全新原装现货库存热卖
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
2N6292G
ON
22+
8500
TO220-3
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息
电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
2N6292G
On Semiconductor
13+
7,250
标准封装
全新原装热卖
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
2N6292G
ON
22+
4059
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:0755-82767795/23615309/23613962
联系人:欧阳小姐 李小姐 雷先生 朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
2N6292G
ON
20+
2085025
SMD
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