2SD1781K
晶体管
电气特性
（ TA = 25℃ ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
0.1
150
15
马克斯。
0.5
0.5
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
=50μ
A
I
C
=1mA
I
E
=50μ
A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=3V,
I
C
=100mA
V
CE
=5V,
I
E
= -50mA ，
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
μ
A
μ
A
V
兆赫
pF
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1781K
h
FE
QR
基本订购
单位（件）
TAPING
T146
3000
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
500
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta
=
25°C
V
CE
=
6V
400
1000
Tc=25°C
1mA
500
V
CE
=
5V
Ta=100°C
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
300
800μA
700μA
600μA
500μA
400μA
300μA
200μA
100μA
I
B
=0μA
8
10
直流电流增益：H
FE
200
900μA
200
100
50
25°C
55°C
200
100
20
10
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
0
2
4
6
2
5
10 20
50 100 200 500 1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益与集电极
当前
Rev.A的
2/3
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
