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> 2SD1158
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·高速开关
·高直流电流增益
·低集电极饱和电压
应用
开关稳压器
· DC-DC转换
·固态继电器
通用功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1158
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
50
10
8
2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.1A
I
C
= 2A ，我
B
=0.1A
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
250
民
50
80
10
2SD1158
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.5
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;I
B1
=-I
B2
=0.5A
R
L
=6?
PW = 20μs的，责任@ 2 ％
0.5
3.0
0.8
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1158
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1158
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
的TO-220封装
高
高速开关
高
直流电流增益
ULOW
集电极饱和电压
应用
切换
稳压器
·直流 - 直流
转换器
* SOLID
固态继电器
■一般
目的功率放大器
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
2SD1158
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
50
10
8
2
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.25
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
C
= 0.1毫安，我
E
=0
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.1A
I
C
= 2A ，我
B
=0.1A
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
= 10V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
250
民
50
80
10
2SD1158
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.5
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;I
B1
=-I
B2
=0.5A
R
L
=6Ω
PW = 20μS ， Duty≤2 ％
0.5
3.0
0.8
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1158
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1158
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2SB810H
2-103328-7
23AT3-T2
24D15.400
22-28-4052
22-28-5104
2MBI150NE-120
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ：
电话：0755-82780082
联系人：杨小姐
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室
2SD1158
-
-
-
-
终端采购配单精选
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
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电话：0755-28458422
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地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B
2SD1158
-
-
-
-
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深圳市鹏顺兴科技有限公司
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电话：0755-23063133/23042311
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2SD1158
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
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电话：0755-83209937
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2SD1158
-
-
-
-
终端采购配单精选
HECC GROUP CO，LIMITED
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电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
联系人：Sante Zhang/Mollie
地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
2SD1158
-
-
-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
深圳市高尚微科技有限公司
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电话：0755-82794459
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地址：深圳市福田区华强电子世界3号楼2楼32C161房间
2SD1158
FUJI/富士电机
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TO-220
原装现货 优势出货
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电话：0755-82797406
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地址：龙岗区坂田街道雅宝路1号星河WORLD-A座13楼06室
2SD1158
FUJITSU/富士通
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可追溯原厂 只售原装正品
深圳市芯满林科技有限公司
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电话：15816893710 18668620966
联系人：15816893710李先生 18668620966 史小姐
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2SD1158
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地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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电话：0755-82567696
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地址：福田区 华强北路 华联发综合楼611
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FUJITSU/富士通
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TO-220
只做原装 一级代理
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电话：13764057178 // 15821228847 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SD1158
FUJI
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115470
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深圳市集创讯科技有限公司
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
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联系人：朱先生
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