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场效应管放大器的偏置电路

发布时间:2014/12/29 17:53:00 访问次数:1084

   场效应管放大器也需要一定的偏置电路来确定其工作点,偏置电路的形式很多,归纳起来主要有如下几种:

   (1)固定偏置,如图4- 19  (a)所示。AM29LV040B-70JC栅极偏置电压由负电源UGG经偏置电阻RG提供,这种方法最简单。由于该电路输入电阻取决于Rc,为了提高输入电阻往往选用阻值较大的Rc,这就有可能在环境温度升高时,在栅极漏泄电流流经RG时,产生可观的压降变化,使栅极偏置电压随之改变,引起工作点严重偏离预定设计点,因此这种偏置方法较少采用。

     

   (2)自偏置,如图4- 19  (c)所示。在源极串入电阻R4,当ID流经R4时,产生压降IDR4,由于栅极接地,相当于源极电位比栅极高了IDR4,即等于给栅极加了偏压UcS一- IDR4。例如,若ID =lmA,R4 =lkfl,则IDR4 =1V,即相当于Ucs= -1V,在场效应管放大电路中,接在漏极D上的电阻用RD表示,但如果作为负载电阻,也可用RL表示;接在源极S上的电阻用Rs表示,如果作为负载电阻,也可用RL表示;接在栅极G上的电阻用RG表示,也可用RGS表示,称为栅源电阻。关于这些名称,只要弄清和记住场效应管的电极并注意是哪一种放大电路,还是容易弄清的。根据同样的概念,各电极的电流名称和代号也容易分清,例如:ID、Is和工G。

   这个栅极负电压是由漏极电流在源极电阻R4的压降提供的,因而叫自给偏压。这种偏置方法,省去了一组负电源,且在有信号输入时,栅极压亦随信号大小自动调节,这对放大器的稳定性大有好处。这种电路的缺点是ID和R4的大小必须满足栅极偏置电压的要求,调整时就较为困难。

   (3)带分压器的自偏置,如图4- 19 (b)所示。电路中除有源极电阻RL提供自偏压IDRL外,还有外加偏置电阻Ri、R2构成分压器,给栅极加上固定栅极偏置电压。由图可推算出,由于R、、R2分压得到栅极电压UG一[R2/(R1+R2)lUDD,因而栅极偏置电压UGS一

[R2UDD/(RlJ-R2)l-IDRS。在这种电路中,ID和RL的选择自由度较大些。

   由于场效应管的导电类型祁工作方式不同,它不仅有N沟道和P沟道的区别,而且还有增强型和耗尽型的区别,各种类型所需的偏置电压的极性都不相同。



   场效应管放大器也需要一定的偏置电路来确定其工作点,偏置电路的形式很多,归纳起来主要有如下几种:

   (1)固定偏置,如图4- 19  (a)所示。AM29LV040B-70JC栅极偏置电压由负电源UGG经偏置电阻RG提供,这种方法最简单。由于该电路输入电阻取决于Rc,为了提高输入电阻往往选用阻值较大的Rc,这就有可能在环境温度升高时,在栅极漏泄电流流经RG时,产生可观的压降变化,使栅极偏置电压随之改变,引起工作点严重偏离预定设计点,因此这种偏置方法较少采用。

     

   (2)自偏置,如图4- 19  (c)所示。在源极串入电阻R4,当ID流经R4时,产生压降IDR4,由于栅极接地,相当于源极电位比栅极高了IDR4,即等于给栅极加了偏压UcS一- IDR4。例如,若ID =lmA,R4 =lkfl,则IDR4 =1V,即相当于Ucs= -1V,在场效应管放大电路中,接在漏极D上的电阻用RD表示,但如果作为负载电阻,也可用RL表示;接在源极S上的电阻用Rs表示,如果作为负载电阻,也可用RL表示;接在栅极G上的电阻用RG表示,也可用RGS表示,称为栅源电阻。关于这些名称,只要弄清和记住场效应管的电极并注意是哪一种放大电路,还是容易弄清的。根据同样的概念,各电极的电流名称和代号也容易分清,例如:ID、Is和工G。

   这个栅极负电压是由漏极电流在源极电阻R4的压降提供的,因而叫自给偏压。这种偏置方法,省去了一组负电源,且在有信号输入时,栅极压亦随信号大小自动调节,这对放大器的稳定性大有好处。这种电路的缺点是ID和R4的大小必须满足栅极偏置电压的要求,调整时就较为困难。

   (3)带分压器的自偏置,如图4- 19 (b)所示。电路中除有源极电阻RL提供自偏压IDRL外,还有外加偏置电阻Ri、R2构成分压器,给栅极加上固定栅极偏置电压。由图可推算出,由于R、、R2分压得到栅极电压UG一[R2/(R1+R2)lUDD,因而栅极偏置电压UGS一

[R2UDD/(RlJ-R2)l-IDRS。在这种电路中,ID和RL的选择自由度较大些。

   由于场效应管的导电类型祁工作方式不同,它不仅有N沟道和P沟道的区别,而且还有增强型和耗尽型的区别,各种类型所需的偏置电压的极性都不相同。



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12-29场效应管放大器的偏置电路

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