晶体管的输入特性曲线簇
发布时间:2014/12/27 19:31:26 访问次数:1617
研究和分析晶体管输入曲线的目的是从晶体管输入特性曲线族中,直观地找P4KE130出晶体管的输入特性和相关参数,作为晶体管电路设计时的重要参考。
我们知道,晶体管在放大电路有三种接法:共发射极接法、共集电极接法和共基极接法。而共发射极接法在放大电路中应用最广,因此晶体管输入一输出特性曲线主要是以共发射极接法测得的,下面的介绍也是以这种接法为依据进行的。
在共发射极电路中,所谓对晶体管的输出端所加电压,就是在它的集电极与发射极之间所加的电压。晶体管的输入端所加电压,就是在它的基极与发射极之间所加的电压。
图3- 33是由专门的测量电路所测得的晶体管输入特性曲线,其中图3- 33 (a)是以PNP型锗晶体管3AG1为例所作的输入特性曲线簇,图3- 33 (b)则是以NPN型硅晶体管3DG4为例所作的输入特性曲线簇。
研究和分析晶体管输入曲线的目的是从晶体管输入特性曲线族中,直观地找P4KE130出晶体管的输入特性和相关参数,作为晶体管电路设计时的重要参考。
我们知道,晶体管在放大电路有三种接法:共发射极接法、共集电极接法和共基极接法。而共发射极接法在放大电路中应用最广,因此晶体管输入一输出特性曲线主要是以共发射极接法测得的,下面的介绍也是以这种接法为依据进行的。
在共发射极电路中,所谓对晶体管的输出端所加电压,就是在它的集电极与发射极之间所加的电压。晶体管的输入端所加电压,就是在它的基极与发射极之间所加的电压。
图3- 33是由专门的测量电路所测得的晶体管输入特性曲线,其中图3- 33 (a)是以PNP型锗晶体管3AG1为例所作的输入特性曲线簇,图3- 33 (b)则是以NPN型硅晶体管3DG4为例所作的输入特性曲线簇。
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