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NMOS与非门电路

发布时间:2012/12/7 19:15:21 访问次数:10827

    只要输入端A、B、C中有一个XC95288XL-10TQG144C是低电平,VT1管就导通,VT1管的导通能抽走VT2基极电荷,使VT2管迅速脱离饱和导通而转入截止状态。VT2截止后其发射极为低电平,集电极为高电平,此时VT3管基极因高电平而导通,直流电压+V经R4、导通管VT3集电极和发射极、导通的二极管VD4加到VT4管集电极。由于此时VT4管的基极为低电平,VT4管处于截止状态,这样VT4管集电极为高电平,这一门电路输出端F=l。
    电路中,电阻R4的作用是在输出端F由低电平变为高电平时限制瞬间电流的峰值。输入端的二极管VD1、VD2和VD3对直流电路没有影响,它们的作用是减小负极性的瞬间干扰,并使输入端电压限制在0.7V以内。
    图8-18所示是由NMOS管构成的与非门电路,这是一个两个输入端A、B的与非门电路。电路中,VT1管接成常导通状态,VT2和VT3管串联,F是与非门的输出端。

            
    这一电路的工作原理是:当两个输入端A和B同时为高电平l时,VT2和VT3管同时导通,此时输出端F=0:当输入端A或B只要有一个为0时,如A=O,VT2管截止,由于VT2和VT3管串联,只要其中一只管子截止,输出端F= la通过上述分析可知,这一电路可以实现与非逻辑,所以是与非门电路。

    只要输入端A、B、C中有一个XC95288XL-10TQG144C是低电平,VT1管就导通,VT1管的导通能抽走VT2基极电荷,使VT2管迅速脱离饱和导通而转入截止状态。VT2截止后其发射极为低电平,集电极为高电平,此时VT3管基极因高电平而导通,直流电压+V经R4、导通管VT3集电极和发射极、导通的二极管VD4加到VT4管集电极。由于此时VT4管的基极为低电平,VT4管处于截止状态,这样VT4管集电极为高电平,这一门电路输出端F=l。
    电路中,电阻R4的作用是在输出端F由低电平变为高电平时限制瞬间电流的峰值。输入端的二极管VD1、VD2和VD3对直流电路没有影响,它们的作用是减小负极性的瞬间干扰,并使输入端电压限制在0.7V以内。
    图8-18所示是由NMOS管构成的与非门电路,这是一个两个输入端A、B的与非门电路。电路中,VT1管接成常导通状态,VT2和VT3管串联,F是与非门的输出端。

            
    这一电路的工作原理是:当两个输入端A和B同时为高电平l时,VT2和VT3管同时导通,此时输出端F=0:当输入端A或B只要有一个为0时,如A=O,VT2管截止,由于VT2和VT3管串联,只要其中一只管子截止,输出端F= la通过上述分析可知,这一电路可以实现与非逻辑,所以是与非门电路。

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