飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的高效n沟道mosfet系列，提供高达8kv的esd(hbm)电压保护，较市场现有器件高出90%。fds881xnz系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的power trench工艺，这些低导通阻抗(rds(on)) mosfet(包括rds(on)低于5mohm的fds8812nz)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下，系统依然安全。

fds881xnz系列为设计师提供了多种选项，让他们可根据其电池应用的功率管理和负载开关要求进行选择。fds8812nz(rds(on)=4mohm)针对高端笔记本电脑应用，协助设计师解决将高端功能整合到笔记本电脑中所面临的散热难题。fds8813nz(rds(on)=4.5mohm)非常适合于15以上显示器的一体化笔记本电脑，而fds8817nz(rds(on)=7mohm)则是通用于中低端产品和子笔记本电脑的理想产品。

fds881xnz系列的主要优点包括：

低导通阻抗rds(on)解决方案，能提高工作效率，从而延长电池使用寿命。

集成式esd保护二极管(hbm)提供8kv esd保护功能。

坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，可耐受电压尖峰的冲击，避免输出端出现突变电压

fds881xnz系列n沟道mosfet系列采用业界标准so8封装，是飞兆半导体广泛的电池用mosfet产品系列的又一重要成员。

fds881x系列采用无铅(pb-free)引脚，潮湿敏感度符合ipc/jedec标准j-std-020对无铅回流焊的要求，所有飞兆半导体产品设计均符合欧盟的有害物质限用指令(rohs)。现可提供样品，交货期为收到订单后12周内。