单特征PD无需第二个PD控制器，从而降低了系统成本和复杂性。无论使用了隔离式还是非隔离式开关，开关的灵活性都可支持使用现成有售和专有电源解决方案。

与集成了功率MOSFET的传统PD控制器不同，LT4294控制一个外部MOSFET，以大幅度地减少PD产生的总热量，并最大限度提高电源效率，这在802.3bt的较高功率水平时尤其重要。

外部MOSFET架构允许用户选择MOSFET的尺寸以适合应用需求。基于LT4294的标准解决方案通常选择低RDS(ON)30mΩ MOSFET。

保护阵列的尺寸为1.0mmx0.7mm，厚度为0.27mm，所使用的电路板空间比前一代器件少70%，体积减小了7倍。

新的4路ESD保护阵列---VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺寸的芯片级CLP1007-5L封装，可用于便携式电子产品。

在不牺牲性能的前提下，Vishay Semiconductors VBUS54FD-SD1的尺寸远小于前一代元器件，具有低电容和低漏电流的特点，可保护高速数据线路免收瞬变电压信号的影响。

Littelfuse GEN2系列碳化硅肖特基二极管具有以下关键优势：

同类最佳的电容存储电荷以及 可忽略不计的 反向恢复功能 使其非常适合高频电源开关应用。 它还能确保实现可忽略不计的开关损耗，并降低对相反开关的应力。

同类最佳的正向压降可确保低传导损耗。

175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。

GEN2系列碳化硅肖特基二极管提供TO-220-2L（1,000只装管式包装）或TO-252-2L (DPAK)封装（2,500只装卷带包装）。