抗退化体二极管利用碳化硅MOSFET可以消除对外部二极管的需要。

与IGBT相当的短路耐受能力可经受有害的电瞬变。在结温0至175摄氏度范围内，相比对温度更敏感的碳化硅MOSFET，较平坦的RDS（on）曲线使电力系统能够更稳定地运行。

Microchip通过AgileSwitch®数字可编程门驱动器系列和各种分立和功率模块，以标准和可定制的形式简化了技术的采用。

这些栅极驱动器有助于加快碳化硅从实验到生产的开发速度。

智能交通系统、机器视觉检测和工业自动化应用的相机系统开发人员将得益于 XGS 16000 的高分辨率和高帧率。这对自动化、检测和识别应用越来越重要。

安森美半导体的全局快门像素技术解决了这些应用中相关卷帘快门像素的限制， 使用全局快门方法可以避免运动模糊和失真等伪影。

DDU1607MG/MC采用独特的双 USB3 接口技术，可在超过 47 fps的帧速率下提供 1600万像素黑白色和彩色分辨率。