导通电阻与输出电荷及随机号码发生器(TRNG)降至1.7mW
发布时间:2021/6/17 18:59:11 访问次数:984
防护与安全特性包括了AES128/192/256,3DES/ARC4, SHA1/SHA224/SHA256/MD5, GHASH,RSA/DSA/ECC以及随机号码发生器(TRNG).
工作电压2.7V到3.6V,工作温度-40°C到+85°C.主要用在物联网应用以及安全装置(火灾探测,防盗检测,面板控制),表计类产品(电力,自动抄表),工业应用(机器人,开门器,缝纫机,自动售货机,UPS),健康管理和可穿戴人体传感器与智能家居和遥控玩具.
这款MOSFET经过RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
制造商:Power Integrations 产品种类:专业电源管理 (PMIC) 类型:Battery Management 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 输入电压范围:18 V to 24 V 最小工作温度:- 10 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Capacitor Discharge IC 商标:Power Integrations 工作电源电流:21.7 uA 工作电源电压:230 VAC 产品类型:Power Management Specialized - PMIC 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:506.600 mg
通过优化器件结构，还提高了导通电阻与输出电荷之间的互商性，从而可减少导通损耗并有助于降低设备能耗。这几款新产品沿袭了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，因此降低了“漏源导通电阻与栅极开关电荷的乘积”，该值为开关应用领域的一个品质因数。
-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。
Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
防护与安全特性包括了AES128/192/256,3DES/ARC4, SHA1/SHA224/SHA256/MD5, GHASH,RSA/DSA/ECC以及随机号码发生器(TRNG).
工作电压2.7V到3.6V,工作温度-40°C到+85°C.主要用在物联网应用以及安全装置(火灾探测,防盗检测,面板控制),表计类产品(电力,自动抄表),工业应用(机器人,开门器,缝纫机,自动售货机,UPS),健康管理和可穿戴人体传感器与智能家居和遥控玩具.
这款MOSFET经过RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
制造商:Power Integrations 产品种类:专业电源管理 (PMIC) 类型:Battery Management 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 输入电压范围:18 V to 24 V 最小工作温度:- 10 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Capacitor Discharge IC 商标:Power Integrations 工作电源电流:21.7 uA 工作电源电压:230 VAC 产品类型:Power Management Specialized - PMIC 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:506.600 mg
通过优化器件结构，还提高了导通电阻与输出电荷之间的互商性，从而可减少导通损耗并有助于降低设备能耗。这几款新产品沿袭了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性，因此降低了“漏源导通电阻与栅极开关电荷的乘积”，该值为开关应用领域的一个品质因数。
-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。
Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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