紧密耦合的存储器组配置SRAM分割高达39K逻辑单元
发布时间:2021/6/1 8:42:04 访问次数:847
Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性，额定功率高达1 W，阻值低至0.10 W，适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。
AM64x系列Sitara处理器是工业级混杂ARM处理器,组合了两个Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多达两个Arm Cortex-A53核,多达4个Cortex-R5F MCU和一个Cortex-M4F MCU.
AM64x系列的架构通过高性能的R5F,紧密耦合的存储器组,配置SRAM分割和专用的低等待来回外设通路以便数据在SoC中迅速传输,从而提供业界最好的实时性能.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:5000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 引线间隔:3.1 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
SGMII (吉比特以太网)等.它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
结合先前发布的NCW 0406 AT，日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外，电阻可在+175 °C高温下工作，高耐硫能力符合ASTM B 809要求，85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Vishay Beyschlag NCW 0612 AT电阻具有出色的高温性能和极佳的长期稳定性，额定功率高达1 W，阻值低至0.10 W，适用于汽车和工业应用中的电力电子设备。
AM64x系列Sitara处理器是工业级混杂ARM处理器,组合了两个Sitara吉比特TSN使能的PRU-ICSSG和多达两个Arm Cortex-A53核,多达4个Cortex-R5F MCU和一个Cortex-M4F MCU.
AM64x系列的架构通过高性能的R5F,紧密耦合的存储器组,配置SRAM分割和专用的低等待来回外设通路以便数据在SoC中迅速传输,从而提供业界最好的实时性能.
制造商:Panasonic 产品种类:铝质电解电容器-SMD RoHS: 详细信息 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 系列:FK-V 产品:High Temp Electrolytic Capacitors 电容:220 uF 电压额定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 105 C 直径:8 mm 长度:10.2 mm 高度:10.2 mm 寿命:5000 Hour 纹波电流:600 mA 资格:AEC-Q200 端接类型:SMD/SMT 类型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商标:Panasonic 引线间隔:3.1 mm 产品类型:Electrolytic Capacitors 工厂包装数量:500 子类别:Capacitors 单位重量:880 mg
SGMII (吉比特以太网)等.它的处理特性包括高达39K逻辑单元,56个18x18乘法器,2.9Mb嵌入存储器(由EBR和LRAM区块组成),分布式存储器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高达1066 Mbpsx16数据宽).
结合先前发布的NCW 0406 AT，日前发布的AEC-Q200标准器件宽边几何形状具有优异的温度循环稳健性。此外，电阻可在+175 °C高温下工作，高耐硫能力符合ASTM B 809要求，85 °C和85 %相对湿度条件下具有出色的耐湿性。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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