多频带RF混频振荡器SL2610，具有影像抑制和频率合成器的功能。

它主要用在陆地所有频带的调谐器，而需要数量最少的外接元件。除了外接的VCO恒温槽电路，它集成了RF下变换到标准IF所需要的所有元件。

主要的特性有：单片混频振荡器PLL，用于DTT的多带调谐器.

每个混频振荡器都进行优化，以达到大的动态范围；RF输入级既是单端的，也可以是差分的；PLL频率合成器的相位噪音低.

制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    25 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    3.2 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    13.6 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    30 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   46 S  

下降时间:   2 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   3 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   15 ns  

典型接通延迟时间:   3 ns  

零件号别名:  BSZ031NE2LS5 SP001385378  

单位重量:  34.430 mg

高热稳定性微功耗基准电压源TS824-1.2和TS824-2.5，目标应用在需要低功耗的以电池为能源的设备。TS824-1.2和TS824-2.5的温度系数为55ppm/C，在容性负载和工业范围温度-40度 到 85度内都很稳定。

TS824-1.2的输出电压是1.225V, TS824-2.5的输出电压是2.5V,适合用在电源，以电池为能源的设备，计算机，仪表，数据采集和功率管理电路。

输出电压的精度，TS824-12为±1%，TS824-2。5为±0.5% 或±1%。两种器件的封装为SOT-23。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）