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K4H561638N-LCCC电子在真空中的最低能级之间的势能差

发布时间:2018/12/22 17:39:38 访问次数:4117

   固体的费米能级和电子真空能级之间的能量差定义为功函数。图2.2Ola,、(b)、(c,、(③中的仇或汾另刂表示出金属、绝缘体、n型半导体、p型半导体的功函数。K4M51323PG-HG75

    金属的功函数(通常表示为仇),如图2,⒛(a)所示,指的是电子在金属中的最高能级(称为金属的费米能级)和K4H561638N-LCCC电子在真空中的最低能级之间的势能差。也就是金属中电子必须克服相当于功函数的势能才可以进人真空。非金属材料的费米能级始终位于能隙内,只有非本征半导体的简并情况例外。这些材料的功函数(通常表示为o同样可定义为费米能级(马)与真空能级之差,如图2.⒛Ol-Θ)所示:

    式中,Ec:为导带底端能级,〃是电子亲和势。显然,电子从半导体或者绝缘体发射电子的条件与金属不同。由于在非金属材料的费米能级FF上没 有电子,因此可以从它的内部离开的电子必须是在导带内或者在价带内,亦或在杂质能级内。半导体的功函数依赖于EF的位置,而EF是温度,杂质浓度和外界压力等参数的函数。

     


   固体的费米能级和电子真空能级之间的能量差定义为功函数。图2.2Ola,、(b)、(c,、(③中的仇或汾另刂表示出金属、绝缘体、n型半导体、p型半导体的功函数。K4M51323PG-HG75

    金属的功函数(通常表示为仇),如图2,⒛(a)所示,指的是电子在金属中的最高能级(称为金属的费米能级)和K4H561638N-LCCC电子在真空中的最低能级之间的势能差。也就是金属中电子必须克服相当于功函数的势能才可以进人真空。非金属材料的费米能级始终位于能隙内,只有非本征半导体的简并情况例外。这些材料的功函数(通常表示为o同样可定义为费米能级(马)与真空能级之差,如图2.⒛Ol-Θ)所示:

    式中,Ec:为导带底端能级,〃是电子亲和势。显然,电子从半导体或者绝缘体发射电子的条件与金属不同。由于在非金属材料的费米能级FF上没 有电子,因此可以从它的内部离开的电子必须是在导带内或者在价带内,亦或在杂质能级内。半导体的功函数依赖于EF的位置,而EF是温度,杂质浓度和外界压力等参数的函数。

     


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