极紫外线( EUV)是预计的具有更小波长的另一种曝光源。它的波长为13.5 nm，有町能用于18—24 nm范围的图像。P89LPC921FDH变成等离子体的锡蒸气是光源成分。ASML使用两种力+法。在一个方案中称为激光等离子体( LPP)，锡液滴通过高能激光流产生EUV光。在另一个方案巾被称为激光辅助放电等离子体( LDP)，一个电荷穿过锡蒸气产生EUV光子7。由于玻璃吸收EUV光子，曝光系统采用极平坦的镜面来对准光束。由于空气也吸收光子，整个过程发生在一个真空环境中。然而，系统的生产速率不满足生产要求。因此，最初的使用将在关键层采用与浸没式光刻机混合匹配的方式。

   对更高分辨率曝光源的追求必然使人们想到两种非光学光源：X射线和电子束( e-beam)、、X射线是高能量光量子，它的波长只有4—50 A㈦1。因为衍射作用很小，这个波段可以将图形尺寸做到0.1ILm的水平。X射线光刻机使用1:1的掩模版（见图10.5）。由于更短的曝光时间，通常有更高的产能。在光刻胶中的反射和散射现彖可降低到最小，几乎没有景深的问题。X射线曝光的晶圆只有很少量的缺陷来自附着在掩模版上的尘埃和有机物，因为X射线可以穿过它们。

   在实际生产中，X射线光刻机遇到_『很多困难。一个主要的问题是用于阻挡X射线的掩模版的开发。因为X射线会穿透传统的玻璃和镀铬的掩模版，需要开发一种要求用金来做阻挡层的工艺，或者其他一些可以阻挡高能X射线的材料（见9. 10节）。