人射离子注人靶时,在其所经过的路径附近区域将产生许多空位、间隙原子和其他形式的晶格畸变。M65840FP由于离子注入形成损伤区和畸变团直接影响半导体材料和微电子产品的特性:增加了散射中心,使载流子迁移率下降;增加了缺陷数目,使少数载流子寿命下降和pn结反向漏电流增大等。此外,大部分注入的离子不是以替位形式处在晶格点阵位置上,而是处于间隙位置,无电活惟,一般不能供

导电性能。因此,从产品应用方面考虑,为了激活注入的离子,恢迁移率及其他材料参数,必须在适当的温度和时问下对半导体进行退火,以使杂质原子处于晶体点阵位置,即替位式状态,成为受主或施主中心,以实现杂质的电激活。

   退火(Anneal),就是利用热能(Thcrmal Energy)将离子注人后的样品进行热处理,以消除辐射损伤,激活注人杂质,恢复晶体的电性能。具体△艺上就是注人离子的晶体在某一高温下保持一段时间,使杂质通过扩散进人替位位置,成为电活性杂质,并使晶体损伤区“外延生长”为晶体,恢复或部分恢复迁移率与少子寿命。退火工艺可以实现两个日的:一是减少点缺陷密度,囚为问隙原子可以进入某些空位;二是在间隙位置的注入杂质原子能移动到晶格位置,变成电激活杂质。