尽管红外技术在第二次世界大战期间的应用有限,但是军用的研究项目在战后期间促进了辐射探测器的发展。

   二十世纪四十年代后期到五十年代,为提高红外探测器的灵敏度和响应速度,光子探FAN7842测器得到迅速发展,第一种实用的Pbs红外探测器被研制出来,它可以响应至3um,PbS是在第二次世界大战期间在德国发展起来的,并在战争中得到多种应用。这一时期还发展了多种红外探测器材料,例如利用3um~5um大气窗口的PbSe、PbTe和Insb材料,它们响应波长都超过了Pbs。同时还出现了响应在8um~14um大气窗口和⒕um~30um的长波大气窗口的非本征锗器件。

   五十年代末期,ⅢⅤ、Ⅳ-Ⅵ和Ⅱ-Ⅵ族半导体合金的概念被提出,其中特别重要的是HgCdTe材料,这种材料为英国皇家雷达研究所W。D。Lawsc,n等于1959年首次报道,在此之后,科学家们对它进行了深人研究,发现这种材料的几乎各种物理性质都适宜于红外器件,用它可能做出任何指定波段的优质红外探测器.

    六十年代初,由于光刻技术的应用,产生了第一个非本征锗掺汞长波线列红外探测器,并应用于红外前视系统。六十年代末和七十年代初,发展了第一代线列H四dTc光导探测器。这类探测器允许长波红外前视系统只采用一个单级制冷机,工作温度为gOK。这就使系统结构更为紧凑,轻便,功耗也大幅度下降c用于战术应用的光导H匪dTe线列已大批生产了十多年。在此期间得到发展的还有非本征硅器件和利用硅工艺的中波器件。进入八十年代,红外探测器技术在经历了从第一代的单元和线阵列演变到第二代的二维时间延迟与积分(TDI)的扫描型线阵列和凝视型面阵列之后,随着红外系统的不断发展和使用部门不断提出新的要求,先进的红外焦平面阵列技术正处在从第二代向第三代的转折时期。第三代红外探测器  红外焦平面列阵器件,包括了探测器和处理电路两个部分,使得从焦平面引出杜瓦瓶的引线数目降低,杜瓦瓶结构大大简化,同时也简化了后续的信号处理。各技术发达国家投人大量的人力和资金对焦平面探测器进行研究,发展方向已从单色向双色或者多色发展,从制冷成像向非制冷成像发展。