常见氮化物材料的禁带宽度分布范围较大,从禁带AF90N03D宽度为0.7cV的InN材料到禁带宽度为3.4eV的GaN材料,再到禁带宽度为6,2cV的AlN材料,其对应光谱包含了红外、可见光和深紫外波段,因此在发光器件中有广泛的应用,本节主要介绍其能带结构。

   同质pn结结构

   在半导体材料中,如果一部分是n型区域而另一部分是p型区域,在这两区域的交界面处就形成pn结冂。如果这两区域材料相同,则此pn结称为同质pn结;如两区域材料不同,则称为异质pn结。如pll结两侧杂质浓度分布均匀,在p区或n区界面处杂质浓度有一突变,则此pn结称为突变pn结;如杂质浓度从p区到n区逐渐改变,则此pn结称为缓变pn结。由单一pn结构成的半导体器件称为二极管。