SI1967DH-T1-GE3

发布时间:2023/10/8 10:56:00 访问次数:43 发布企业:深圳市楷瑞达科技电子有限公司

全新原装正品

SI1967DH-T1-GE3零件状态 Active FET 类型 2 P-Channel (Dual) FET 功能 Logic Level Gate 漏源电压(Vdss) 20V 电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A 不同Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 490mOhm @ 910mA, 4.5V 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4nC @ 8V

SI2300DS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
SI2323CDS-T1-GE3
SI2338DS-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3
SI7272DP-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

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