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» 型号"SI1967DH-T1-GE3"的供应信息
SI1967DH-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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SI1967DH-T1-GE3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫欧 @ 910mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:剪切带 (CT)
SI1967DH-T1-GE3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫欧 @ 910mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)
SI1967DH-T1-GE3详细规格
类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:490 毫欧 @ 910mA,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:Digi-Reel®
SI1967DH-T1-GE3供应商
SI1967DH-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-82569753
SI1967DH-T1-GE3
深圳德田科技有限公司
0755-83254070
Si1967DH-T1-GE3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SI1967DH-T1-GE3
深圳市集创讯科技有限公司
0755-83244680
Si1967DH-T1-GE3
上海熠富电子科技有限公司
15821228847 /
SI1967DH-T1-GE3
深圳市美思瑞电子科技有限公司
0755-83951431
Si1967DH-T1-GE3
上海熠富电子科技有限公司
15026993318 /
SI1967DH-T1-GE3
深圳市科格尔电子有限公司
0755-82798529
SI1967DH-T1-GE3
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
13424184668
SI1967DH-T1-GE3
深圳市芯福林电子科技有限公司
0755-82574045
SI1967DH-T1-GE3 IC
深圳市汇景欣电子有限公司
0755-23051326
SI1967DH-T1-GE3
深圳市金芯阳科技有限公司
075584505750
SI1967DH-T1-GE3
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
18922805453
SI1967DH-T1-GE3
深圳和润天下电子科技有限公司
0755-83798683
SI1967DH-T1-GE3
深圳德田科技有限公司
0755-83254070
SI1967DH-T1-GE3
深圳市海虹微电子有限公司
0755-83291010
查看更多SI1967DH-T1-GE3的供应商
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