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制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
19.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Qg-栅极电荷:
69 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
7.8 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
TrenchFET
系列:
SI4
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Vishay Semiconductors
配置:
Single
下降时间:
10 ns
正向跨导 - 最小值:
54 S
产品类型:
MOSFET
上升时间:
11 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
35 ns
典型接通延迟时间:
16 ns
零件号别名:
SI4090DY-GE3
单位重量:
750 mg
SI4090DY-T1-GE3 MOSFET 全新原装现货供应
发布时间:2023/6/8 10:32:00 访问次数:30 发布企业:深圳市壹芯创科技有限公司