SQUN702E-T1_GE3 MOSFET 全新原装供应

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DIE
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 3 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V, 200 V
Id-连续漏极电流: 20 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V, 2.5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC, 23 nC, 30.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W, 60 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Triple
下降时间: 2 ns, 10 ns, 19 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S, 19 S, 65 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns, 9 ns, 12 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns, 22 ns, 43 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 8 ns, 10 ns