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FF150R12KS4

发布时间:2023/5/17 17:00:00 访问次数:33 发布企业:上海贺光新能源科技有限公司

FF150R12KS4

FF150R12KS4

详细参数

参数名称 参数值
Source Content uid FF150R12KS4
是否无铅 不含铅不含铅
是否Rohs认证 符合符合
生命周期 Active
Objectid 2097873250
零件包装代码 MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 7
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
风险等级 7.07
Samacsys Description Infineon FF150R12KS4, IGBT Module, Dual, 225 A max, 1200 V, 7-Pin 62MM Module
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-04-28 10:29:21
YTEOL 5.38
其他特性 FAST
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 225 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7
元件数量 2
端子数量 7
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1200 W
认证状态 Not Qualified
子类别 Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 590 ns
标称接通时间 (ton) 180 ns
VCEsat-Max 3.7 V

产品型号齐全

FF50R12RT4


FF75R12RT4


FF100R12RT4


FF100R12KS4


FF150R12RT4


FF150R12KS4


FF150R12KT3G


FF150R17KE4


FF200R12KT4


FF200R12KT3


FF200R12KE3


FF200R12KE4


FF200R12KS4


FF300R12KT4


FF300R12KT3


FF300R12KE3


FF300R12KS4


FF400R12KT4


FF400R12KT3


FF400R12KE3


FF450R12KT4


FF450R12KE4


FF450R12ME4


FF450R12ME3


FF450R17ME4


FF600R12ME4


FF600R12ME3


FF600R17KE3


FF800R17KE3






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