详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
FF100R12RT4
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
1801527930
零件包装代码
MODULE
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数
7
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
1.4
Samacsys Description
Infineon FF100R12RT4, IGBT Module, Dual, 100 A max, 1200 V AG-34MM-1
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 17:36:04
YTEOL
5.38
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
100 A
集电极-发射极最大电压
1200 V
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压
20 V
JESD-30 代码
R-XUFM-X5
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
5
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
555 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
晶体管应用
POWER CONTROL
晶体管元件材料
SILICON
标称断开时间 (toff)
490 ns
标称接通时间 (ton)
185 ns
VCEsat-Max
2.15 V
FF50R12RT4
FF75R12RT4
FF100R12KS4
FF150R12RT4
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R17KE4
FF200R12KT4
FF200R12KT3
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF300R12KT4
FF300R12KT3
FF300R12KE3
FF300R12KS4
FF400R12KT4
FF400R12KT3
FF400R12KE3
FF450R12KT4
FF450R12KE4
FF450R12ME4
FF450R12ME3
FF450R17ME4
FF600R12ME4
FF600R12ME3
FF600R17KE3
FF800R17KE3
型号齐全 全系有现货
