参数名称
参数值
生命周期
Active
Objectid
8351928366
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
17 weeks 3 days
风险等级
2.19
Samacsys Description
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-26
Samacsys Manufacturer
Vishay
Samacsys Modified On
2019-09-21 07:00:26
YTEOL
5.97
雪崩能效等级（Eas）
180 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
80 V
最大漏极电流 (ID)
150 A
最大漏源导通电阻
0.0021 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
50 pF
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
500 A
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
130 ns
最大开启时间（吨）
86 ns
SUM60020E-GE3
LTC3894EFE#PBF ADI TSSOP-20
MAX14575CETA+T 美信 TDFN-8
QCC-3046-0-WLNSP94B-TR-01-0 高通 BGA
MT7688AN MTK/联发科
EFM32G280F128G-E-QFP100 芯科 QFP-100
KSZ9031RNXIC 微芯 VQFN-48
MB9AF155NAPMC-G-JNE2 Cypress LQFP-100
SPC5606BF1MLQ6 NXP/恩智浦 LQFP-144
R7F7010023AFP RENESAS QFP-100
GD25Q32CT2G GD/兆易创新
C3225X7S2A475K200AE TDK SMD
C5750X7S2A106M230KE TDK SMD
S9KEAZN8ACTG NXP TSSOP16
TPS65910A31A1RSLR TI VQFN48
STM32F437VIT6 ST LQFP100
STM32L443CCY6TR ST WLCSP-49
ACS781LLRTR-100B-T ALLEGRO 22+
SUM60020E-GE3 VISHAY 21+
