类型 描述 选择
类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 81A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
241 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10720 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IRFP4668
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新建参数搜索
IRFP4668PBF
IKW40N65ES5
PIC18F45K22-I/PT
PIC12F1840T-E/SN
IKW25N120H3
XMC4800-F144F1024 AA
IRFH5300TRPBF
IPD50P04P4-13
IRFB5615PBF
FGA40T65SHD
