产品属性 属性值
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: SI2
工厂包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-GE3
单位重量: 8 mg
SI2319CDS-T1-GE3
DMN2028UFDF-7
EN5367QI
KLMBG4GEUF-B04Q
MT53E1G32D2FW-046AUT:A
TPS73512QDRBRQ1
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TPS25910RSAR
NVD5117PLT4G-VF01
TPS4H000AQPWPRQ1
UCC28061DR
SN6501DBVR
TPS25910RSAR
ISO7720FDR
LMR23615QDRRRQ1
TS332IYDT
MAX708ESA-TG
STC4054GR
TPS61086DRCR
TSV912IQ2
DS90UB960WRTDRQ1
TPS65921BZBHR
NX-SID800
NC7WZ14P6X-L22347
R5F10BBFKNA
LT8640EUDC#PBF
AQ3045-01ETG
NVD5117PLT4G-VF01
FDD9507L-F085
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DS90UB964TRGCRQ1
SUP90P06-09L-E3
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LM1117IMPX-5.0/ NOPB
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VIPER17HN
TS2431AILT
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MM32SPIN07PF
IRF9910TRPBF
IRLML2803TRPBF
IRFU3910PBF
IPP086N10N3GXKSA1
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AT24C02C-MAHM-T
SI2319CDS-T1-GE3
MAX8895XEWA+T
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STM32L496VGY6PTR
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E522.80
IPP60R099C6XKSA1
MCP4013T-502E/CH
DSPIC33FJ16GS504T-50I/PT
24AA024T-I/MS
BZX84-B75,215
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74HCT00D,653
LB1973JA-AH
IRF740ALPBF
340833001
A2541WV-2P
KMI86
KMI85
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A2541HWV-8P-U
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1123721-1
SAN-002T-0.8K
350561-1
PHR-3(L)
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41332
173724-1
2005154-1
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SPS-51T-187
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GHR-03V-S
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SVYF-61T-P0.5A
41333
1928498056??
SXA-01GW-P0.6
SXA-01T-P0.6(B)
7-1452671-1
VHR-6N
XHP-6
179228-3
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179227-1
SLF-41T-1.3E
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170328-1
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177917-1
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PHR-8(L)
PMS-10V-S
PIC12F1840T-I/MF
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VND5T050AKTR-E
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BTT6100-2EKA
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DRV632
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VSC8490YJU-17
