产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 136 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
配置: Single
下降时间: 740 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 860 ns
包装数量：1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 540 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 187 mg
NVMFS5A140PLZT1G MOSFET或IGBT的开关功能IC 安森美 SO-8FL-4 2年内
发布时间:2022/9/27 15:36:00 访问次数:33
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