STFW69N65M5

STFW69N65M5

类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ V
包装 管件
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 45 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 143 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6420 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PF
封装/外壳 TO-3P-3 整包
基本产品编号 STFW69