2N7002NXAKR

2N7002NXAKR

类型描述选择
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 190mA（Ta），300mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 430 pC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 20 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 265mW（Ta），1.33W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-236AB
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 2N7002