描述：IRFB7540PBF
采用无铅TO-220AB封装的60V单N沟道HEXFET功率MOSFET
应用：IRFB7540PBF
•有刷电机驱动器应用
•BLDC电机驱动器应用
电池供电的电路
•半桥和全桥拓扑
•同步整流器应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC / DC和AC / DC转换器
•DC / AC逆变器
好处：IRFB7540PBF
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅，符合RoHS
制造商: Infineon
产品种类: MOSFETRoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V
Qg-栅极电荷: 88 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 160 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
正向跨导 - 最小值: 110 S
下降时间: 56 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 76 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 6 g
