P通道40 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•经过100％的Rg和UIS测试
•材料分类：
有关符合性的定义，请参阅
应用领域：SI4447ADY-T1-GE3
•负载开关，适配器开关
-笔记本电脑
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 7.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: SI4
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 14 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 187 mg
