描述：CSD87335Q3D
CSD87335Q3D NexFET™电源块是针对同步降压应用的优化设计以3.3mm×3.3mm的小尺寸提供高电流，高效率和高频能力大纲。针对5V栅极驱动应用进行了优化产品提供了一种灵活的解决方案，能够提供与任何5-V配对时的高密度电源来自外部控制器或驱动器的栅极驱动
1特点：CSD87335Q3D
1•半桥电源块
•高达27V VIN
•15 A时系统效率为93.5％
•高达25A的操作
•高频操作（高达1.5 MHz）
•高密度SON 3.3mm×3.3mm尺寸
•针对5V栅极驱动进行了优化
•低开关损耗
•超低电感封装
•符合RoHS
•无卤素
•无铅端子电镀
2应用：CSD87335Q3D
•同步降压转换器
–高频应用
–高电流，低占空比应用
•多相同步降压转换器
•POL DC-DC转换器
•IMVP，VRM和VRD应用程序
制造商:CSD87335Q3D
Texas Instruments
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
LSON-CLIP-8
通道数量:
2 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
25 A
Rds On-漏源导通电阻:
2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V, 750 mV
Qg-栅极电荷:
5.7 nC, 10.7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商标名:
NexFET
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.5 mm
长度:
3.3 mm
系列:
CSD87335Q3D
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
3.3 mm
商标:
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:
59 S, 107 S
下降时间:
4 ns, 5 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
29 ns, 27 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
13 ns, 17 ns
典型接通延迟时间:
8 ns, 8 ns
单位重量:
67.100 mg
