DMP2305U-7

产品描述：DMP2305U-7

P沟道增强型MOSFET

TransMOSFETP-CH20V4.2A汽车类3脚SOT-23T/R.

产品特征：DMP2305U-7

低导通电阻

60mΩ@VGS=-4.5V

90mΩ@VGS=-2.5V

1100mΩ@VGS=-1.8V

低输入电容

快速切换速度

低输入/输出泄漏

完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2）

卤素和无锑。“绿色”装置（注3）

符合AEC-Q101高可靠性标准

PPAP能力（注4）

机械数据：DMP2305U-7

案例：SOT23

表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。

UL可燃性分类等级94V-0

湿度敏感度：J-STD-020的1级

端子：完成哑光锡退火铜引线框架。

可根据MIL-STD-202，方法208进行焊接

终端连接：请参见下图

重量：0.008克（近似值）

制造商 DiodesIncorporated
制造商零件编号 DMP2305U-7
描述 MOSFETP-CH20V4.2ASOT-23
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 14周
详细描述 表面贴装-P-沟道-20V-4.2A（Ta）-1.4W（Ta）-SOT-23-3

一般信息

数据列表 DMP2305U;

标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -

规格

FET类型 P沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 4.2A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 60毫欧@4.2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 900mV@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 7.6nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 727pF@20V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3