产品描述：L2N7002LT1G
小信号MOSFET
115mAmps，60VN沟道SOT-23
产品特征：L2N7002LT1G
●我们声明产品符合的材料RoHS要求和无卤素。
●S-前缀，适用于汽车和其他需要的应用独特的站点和控制变更要求;AEC-Q101合格且有PPAP能力。
●ESD保护：1000V
生命周期：L2N7002LT1G
量产
欧盟RoHS
是
欧盟RoHS版本
2011/65/EU
零件编号代码
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描述
TransMOSFETN-CH60V0.115A3引脚SOT-23T/R.
分类
二极管，晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET
产品面世日期
2004-07-1600:00:00
ECCN
EAR99
供应商笼子代码
SXE51
HTSUSA
8541210095
组态
单
类别：L2N7002LT1G
小信号
频道模式
增强
频道类型
ñ
每个芯片的元素数量
1
最大漏极源电压
60V
最大栅极源电压
±20V
最大连续漏极电流
0.115A
最大门限阈值电压
2V
最大漏极源电阻
7500@10VmOhm
典型输入电容@Vds
17@25VpF
最大功耗
为225mW
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
150℃
基本包装类型
引线框架SMT
包裹姓氏
SOT-23
供应商包装
SOT-23
包装说明
小外形晶体管
铅形状
鸥翼
针数
3
PCB
3
包装长度（mm）
2.9
包装宽度（mm）
1.3
包装高度（mm）
0.94
坐式平面高度（mm）
1
针距（mm）
0.95
包装材料
塑料
安装
表面贴装
回流温度资源
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