FDN337N

产品描述：FDN337N

FDN337N：N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

SuperSOT™-3N沟道逻辑电平增强模式场效应应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑，手提电话，PCMCIA卡和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中提供快速开关和低线路内功率损耗。

产品特性：FDN337N

2.2A，30V，RDS（ON）=0.065Ω@VGS=4.5V，RDS（ON）=0.082Ω@VGS=2.5V.

工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOT™-3设计，具有优异的热性能和电气性能。

采用高密度单元设计，可实现极低的RDS（ON）。

出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。

应用

该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件编号 FDN337N
描述 MOSFETN-CH30V2.2ASSOT3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 27周
详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-2.2A（Ta）-500mW（Ta）-SuperSOT-3

一般信息

数据列表 FDN337N;

标准包装FDN337NTR-ND;part_id=458847;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -

规格

FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 2.2A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 65毫欧@2.2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 9nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 300pF@10V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3