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以如何使低介电材料(Low-k)，不因电子束的照射导致缩小、变形为例，一般分析业者不外乎减少电子束照射能量与提升样品强度两样方式，而泛铨研发团队拥有独步全球的技术，制备低介质材料样品的收缩比例达到业界最好;此外， 较软的材质「光阻」也是业界在分析上相当棘手的材料，特别在最先进的半导体技术上。 半导体制程进到7纳米之后，极紫外光(EUV)光刻微影是关键技术，但曝光光阻可能产生的缺陷是需要克服的问题，泛铨领先世界发展的检测光阻缺陷技术，能在不损伤光阻材料情况下制备出完整样品，以便于分析曝光缺陷和制程问题， 协助半导体厂改良制程。
为妥善保全客户的数据，泛铨特别增设信息长职务以及营运保全处(BOSD)，并规划滴水不漏的资安流程，严格执行，获得重要客户认同。 泛铨实验室无论客户或员工，甚至泛铨董事长、总经理及副总等一线主管，进出实验室均需检查背包物品，相机、笔电及手机镜头贴上保密贴。 实验室内多数区域列为严管禁地，只有被授权人员才能进出。
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