AD822ARZ 资料
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标准包装
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包装
管件
类别
集成电路（IC）
产品族
线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器
放大器类型
通用
电路数
2
输出类型
满摆幅
压摆率
3 V/μs
-3db 带宽
1.9MHz
电流 - 电源
1.4mA
电流 - 输出/通道
20mA
电压 - 电源，单/双（±）
5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
21ic讯意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)宣布与Memoir Systems
合作开发出革命性的算法内存技术(Algorithmic Memory Technology)。
新技术将用于制造采用全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI，fully-depleted
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silicon-on-insulator)技术的专用集成电路(ASIC，application-specific
integrated circuits)和系统芯片(SoCs，Systems on Chips) 的内部存储器。
当集成到采用FD-SOI技术的产品时，Memoir Systems的算法存储器
没有损失任何性能，这归功于 FD-SOI在功耗和性能上的优势[1] 。此外，
FD-SOI的极低软错误率[2] 结合超低泄漏电流对于包括网络、交通、医
疗和航空等关键应用意义重大。
意法半导体设计支持和服务执行副总裁Philippe Magarshack表示：
“就FD-SOI工艺本身而言，FD-SOI配备了ASIC和SoC设计工具，与其
它制造工艺相比，它可实现速度更快，散热更低。而且增加了Memoir
Systems的知识产权后，我们把FD-SOI产品变得更具吸引力，并展示了
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其简单的移动特点。”
Memoir Systems共同创办人兼首席执行官Sundar Iyer表示：“我们专注
于突破存储器技术，实现更短的设计周期和极高的性能，这使我们的同类
最优的算法存储技术能够嵌入FD-SOI平台，这对于我们和客户都具有重要
意义。简单的移动特点结合有目共睹的优异性能证实，FD-SOI可实现速度
更快、散热更低、设计更简单。”
作为领先的ASIC生产厂商，意法半导体率先推出了突破性的全耗尽型绝
缘层上硅(FD-SOI)制造工艺，扩展和简化了现有平面体硅制造工艺。
FD-SOI晶体管提高了静电特性，缩短了沟道长度，因此工作频率高于
采用传统CMOS制造的晶体管。
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